[發明專利]一種膜厚傳感器有效
| 申請號： | 201410479802.5 | 申請日： | 2014-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN104278250B | 公開（公告）日： | 2017-11-14 |
| 發明（設計）人： | 肖昂 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號： | C23C14/54 | 分類號： | C23C14/54;C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 傳感器 | ||
1.一種膜厚傳感器，其特征在于，所述膜厚傳感器設置在設有Mg蒸發源的金屬蒸鍍腔室內，在所述膜厚傳感器的表面上涂覆有Mg/MgO膜層，所述Mg/MgO膜層中Mg和MgO膜層的厚度比為1:0.25-1.5。
2.根據權利要求1所述的膜厚傳感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜層的厚度為5-10nm。
3.根據權利要求2所述的膜厚傳感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜層的厚度為8nm。
4.根據權利要求1所述的膜厚傳感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜層中MgO膜層的厚度為2-3nm。
5.根據權利要求1所述的膜厚傳感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜層的厚度為5nm時，所述Mg和MgO膜層的厚度比為1:0.67-1.5。
6.根據權利要求1所述的膜厚傳感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜層的厚度為8nm時，所述Mg和MgO膜層的厚度比為1:0.3-0.6。
7.根據權利要求1所述的膜厚傳感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜層的厚度為10nm時，所述Mg和MgO膜層的厚度比為1:0.25-0.45。
8.一種如權利要求1所述的膜厚傳感器的制備方法，其特征在于，包括：
在溫度600-700℃的高真空無氧條件下，將Mg材料蒸鍍在膜厚傳感器上，形成Mg膜層膜厚傳感器；將所述Mg膜層膜厚傳感器繼續放置在溫度30-45℃的含氧氬氣中60-70秒后，Mg膜層表面部分氧化成MgO，形成Mg/MgO膜層膜厚傳感器。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述含氧氬氣中氧氣濃度為5-6％。
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