[發(fā)明專利]一種帶隙結(jié)構(gòu)優(yōu)化的三結(jié)太陽電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410479800.6
• 申請日: 2014-09-18
• 公開（公告）號: CN104241432A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張小賓;楊翠柏;陳丙振;王雷;張楊;張露
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞德興陽新能源技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L31/074
• 分類號: H01L31/074;H01L31/0352;H01L31/0328
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 黃磊

1.一種帶隙結(jié)構(gòu)優(yōu)化的三結(jié)太陽電池，其特征在于：包括有三結(jié)太陽電池單元，所述三結(jié)太陽電池單元的上、下表面分別設(shè)置有增透膜和第一金屬電極，所述增透膜的上表面設(shè)置有第二金屬電極；其中，所述三結(jié)太陽電池單元以半導(dǎo)體Ge單晶片為襯底，按照層狀結(jié)構(gòu)從下至上依次包括有底電池、中電池、頂電池，所述底電池為Ge太陽電池，中電池為GaInNAs太陽電池，頂電池為GaInP太陽電池，所述底電池與中電池之間通過第一隧道結(jié)連接，所述中電池與頂電池之間通過第二隧道結(jié)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶隙結(jié)構(gòu)優(yōu)化的三結(jié)太陽電池，其特征在于：所述底電池結(jié)構(gòu)從下至上依次包括有p型Ge襯底、GaInP成核層、GaInAs緩沖層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶隙結(jié)構(gòu)優(yōu)化的三結(jié)太陽電池，其特征在于：所述中電池結(jié)構(gòu)從下至上依次包括有p型AlGaAs背場層、p型Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y層、n型Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y層或n型Ga_0.99In_0.01As層、n型AlGaAs窗口層；其中x:y＝2.8:1，0.01<y<0.02。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶隙結(jié)構(gòu)優(yōu)化的三結(jié)太陽電池，其特征在于：所述頂電池結(jié)構(gòu)從下至上依次包括有p型AlGaInP背場層、p型Ga_0.5In_0.5P層、n型Ga_0.5In_0.5P層、n型AlInP窗口層，其中Ga_0.5In_0.5P材料的原子排列呈現(xiàn)部分有序性，其材料帶隙為1.80eV—1.83eV。