[發(fā)明專利]成膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410479712.6
• 申請日: 2011-04-27
• 公開（公告）號: CN104264125A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 長谷部一秀;村上博紀;柿本明修
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C23C16/52;C23C16/44
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種成膜裝置，其用于在基底上形成非晶體硅膜，其特征在于，

具有：

處理室，其用于收容被處理體，該被處理體具有在其上形成上述非晶體硅膜的基底；

處理氣體供給機構(gòu)，其用于向上述處理室內(nèi)供給處理所使用的氣體；

加熱裝置，其用于對被收容在上述處理室內(nèi)的上述被處理體進行加熱；

排氣機構(gòu)，其用于對上述處理室內(nèi)進行排氣；

控制器，其用于控制上述處理氣體供給機構(gòu)、上述加熱裝置以及上述排氣機構(gòu)，

在上述處理室收容多個上述被處理體，并且，

上述控制器控制上述處理氣體供給機構(gòu)、上述加熱裝置以及上述排氣機構(gòu)，以實施下述(1)工序和(2)工序，即：

(1)對上述基底進行加熱，使氨基硅烷系氣體流經(jīng)上述加熱后的基底，在上述基底的表面形成晶種層；

(2)對上述基底進行加熱，向上述加熱后的基底的表面的晶種層供給不含氨基的硅烷系氣體，使上述不含氨基的硅烷系氣體熱分解，從而在上述晶種層上形成非晶體硅膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

上述(1)工序中的上述基底的加熱溫度低于上述(2)工序中的上述基底的加熱溫度；

上述(1)工序中的用于形成上述晶種層的處理時間比上述(2)工序中的用于形成上述非晶體硅膜的處理時間短。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜裝置，其特征在于，

上述晶種層的厚度為0.1nm～0.3nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成膜裝置，其特征在于，

上述非晶體硅膜的厚度為50nm～100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的成膜裝置，其特征在于，

上述氨基硅烷系氣體是從包括丁基氨基硅烷、雙叔丁基氨基硅烷、(二甲氨基)硅烷、二(二甲氨基)硅烷、三(二甲氨基)硅烷、二乙基氨基硅烷、雙二乙基氨基硅烷、二丙基氨基硅烷以及二異丙基氨基硅烷中至少一種的氣體選擇的，

上述不含氨基的硅烷系氣體是從包括SiH₄、Si₂H₆、以式Si_mH_2m+2表示的硅的氫化物以及以式Si_nH_2n表示的硅的氫化物中的至少一種的氣體選擇的，其中，m為3以上的自然數(shù)，n為3以上的自然數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的成膜裝置，其特征在于，

上述氨基硅烷系氣體為二異丙基氨基硅烷，

上述不含氨基的硅烷系氣體是從SiH₄和Si₂H₆中任一種的氣體選擇的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的成膜裝置，其特征在于，

上述氨基硅烷系氣體是從二乙基氨基硅烷、雙二乙基氨基硅烷中的任一種的氣體選擇的，

上述不含氨基的硅烷系氣體是從SiH₄和Si₂H₆中任一種的氣體選擇的。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成膜裝置，其特征在于，

上述以式Si_mH_2m+2表示的硅的氫化物是從Si₃H₈、Si₄H₁₀、Si₅H₁₂、Si₆H₁₄、Si₇H₁₆中的至少一種選擇的，其中，m為3以上的自然數(shù)，

上述以式Si_nH_2n表示的硅的氫化物是從Si₃H₆、Si₄H₈、Si₅H₁₀、Si₆H₁₂、Si₇H₁₄中的至少任一種選擇的，其中，n為3以上的自然數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的成膜裝置，其特征在于，

上述晶種層的厚度是單原子層級的厚度。