[發(fā)明專利]復(fù)合式銅電極陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410479429.3
• 申請日: 2014-09-18
• 公開（公告）號: CN104282404B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王坤偉
• 申請（專利權(quán)）人: 興勤（常州）電子有限公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C17/12
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所(普通合伙)32211
• 代理人: 路接洲

1.一種復(fù)合式銅電極陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，包括陶瓷本體、設(shè)置在陶瓷本體上的電極層、陶瓷本體外部的保護層以及保護層下端的引腳，其特征在于：所述的電極層為復(fù)合式電極層；所述的電極層由底電極層和外電極層組成；所述的底電極層為濺鍍形成的Cr層；所述的外電極層為濺鍍形成的Cu層；所述的底電極層與陶瓷本體表面結(jié)合，外電極層堆棧于底電極層上形成復(fù)合式銅電極層；所述的底電極層與陶瓷本體接觸形成CrO層，所述的外電極層堆棧于CrO層上。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合式銅電極陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，其特征在于：所述的底電極層Cr層的厚度小于或等于0.01μm；所述的外電極層Cu層的厚度為0.3～0.6μm。

3.一種如權(quán)利要求要求1所述的復(fù)合式銅電極陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備工藝，其特征在于包括以下步驟：

1)將熱敏電阻的陶瓷本體燒結(jié)后進行表面預(yù)處理；

2)采用真空濺鍍的方式在陶瓷本體的表面濺射一層Cr金屬；

3)待Cr金屬與空氣中的氧原子形成氧化鉻；

4)在陶瓷本體表面采用真空濺鍍的方式濺射Cu靶，使銅原子堆棧于陶瓷本體上。

4.如權(quán)利要求3所述的復(fù)合式銅電極陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備工藝，其特征在于：所述的步驟2)中Cr層的厚度小于或等于0.01μm。

5.如權(quán)利要求3所述的復(fù)合式銅電極陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備工藝，其特征在于：所述的步驟4)中Cu層的厚度為0.3～0.6μm。