[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410477053.2 | 申請日： | 2014-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN104465591B | 公開（公告）日： | 2018-09-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 塚越功二 | 申請（專利權(quán)）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體芯片 承載區(qū)域 半導(dǎo)體裝置 倒棱錐 凹部 高可靠性 相反側(cè) 島部 外周 平行 承載 配置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，具有經(jīng)由絕緣膏粘接半導(dǎo)體芯片的島部，其特征在于：在所述島部的表面的半導(dǎo)體芯片承載區(qū)域設(shè)有多個倒棱錐形狀的凹部，從所述倒棱錐形狀的凹部的頭頂點(diǎn)向上方延伸的垂直線和向所述半導(dǎo)體芯片承載區(qū)域的外側(cè)的開口線所成的第一開口角度，小于所述垂直線和向所述半導(dǎo)體芯片承載區(qū)域的內(nèi)側(cè)的開口線所成的第二開口角度，
所述倒棱錐形狀的凹部為倒正三棱錐。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體芯片承載區(qū)域?yàn)榫匦危谒霭雽?dǎo)體芯片承載區(qū)域的四角設(shè)有具有方錘的四角錐即所述凹部，所述方錘具有風(fēng)箏式四邊形的底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：與半導(dǎo)體芯片承載區(qū)域的中心附近相比，所述倒棱錐形狀的凹部在所述半導(dǎo)體芯片承載區(qū)域的外周附近配置得更密。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述倒棱錐形狀的凹部配置在所述半導(dǎo)體芯片承載區(qū)域的外緣部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述島部具有多個所述半導(dǎo)體芯片承載區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：構(gòu)成所述島部的材料為金屬、樹脂、陶瓷、或者敷金屬的樹脂的任一種。
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