[發明專利]一種全鋁背發射極N型單晶電池的制作方法在審
| 申請號： | 201410476345.4 | 申請日： | 2014-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN104201250A | 公開（公告）日： | 2014-12-10 |
| 發明（設計）人： | 陸海斌 | 申請（專利權）人： | 百力達太陽能股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若瑩 |
| 地址： | 314512 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 全鋁背 發射極 型單晶 電池 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種全鋁背發射極N型單晶電池的制作方法，其特征在于，具體步驟包括：
步驟1：在N型單晶硅片的正面制絨，使用磷擴散，刻蝕清洗，鍍減反膜；
步驟2：在N型單晶硅片的背面印刷全鋁背場并烘干；
步驟3：在N型單晶硅片的正面印刷主副柵線電極銀漿并燒結；
步驟4：在全鋁背場上印刷導電銀漿作為電極并烘干。
2.如權利要求1所述的全鋁背發射極N型單晶電池的制作方法，其特征在于，所述步驟2中采用鋼片網板和鋼制刮刀印刷全鋁背場。
3.如權利要求1所述的全鋁背發射極N型單晶電池的制作方法，其特征在于，所述的步驟4中導電銀漿為低溫導電銀漿。
4.如權利要求1所述的全鋁背發射極N型單晶電池的制作方法，其特征在于，所述的步驟1中所述的鍍減反膜為使用管式PECVD鍍氮化硅減反膜。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
