[發明專利]一種半導體器件及其制作方法和電子裝置

有效

• 申請號: 201410475181.3
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN105480936B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 陳福成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制作方法，包括：

提供器件晶圓，在所述器件晶圓上形成焊盤；

在所述焊盤的兩側壁上形成側墻；

提供封帽晶圓，所述封帽晶圓上形成有鍵合層，和位于所述鍵合層之間的凹槽；

進行鍵合工藝，將所述封帽晶圓上的鍵合層和所述器件晶圓上的焊盤鍵合在一起，當所述鍵合層和所述焊盤鍵合有電性連接時，所述側墻在鍵合過程中消耗完。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述焊盤的材料為金屬鋁。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述側墻的材料為鍺。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述焊盤的方法包括以下步驟：

在所述器件晶圓表面上形成焊盤材料層；

在所述焊盤材料層的上方形成圖案化的掩膜層；

以所述圖案化的掩膜層為掩膜刻蝕所述焊盤材料層，形成所述焊盤。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述側墻的方法包括以下步驟：

在所述器件晶圓和所述焊盤的表面上形成側墻材料層；

回蝕刻所述側墻材料層，在所述焊盤的側壁上形成所述側墻。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述封帽晶圓上的鍵合層為鍺。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述鍵合工藝為鋁鍺合金鍵合。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，如果Al-Ge合金鍵合有電性連接，則所述側墻厚度≤0.590*所述焊盤厚度。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體器件為MEMS器件。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：

器件晶圓，所述器件晶圓上形成有焊盤，所述焊盤的側壁上形成有側墻；

封帽晶圓，所述封帽晶圓上形成有鍵合層，和位于所述鍵合層之間的凹槽；

所述封帽晶圓上的鍵合層和所述器件晶圓上的焊盤相鍵合，當所述鍵合層和所述焊盤鍵合有電性連接時，所述側墻在鍵合過程中消耗完。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤的材料為金屬鋁，所述封帽晶圓上的鍵合層為鍺。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述側墻的材料為鍺。

13.一種電子裝置，其特征在于，包括權利要求10-12任一項所述的半導體器件。