[發(fā)明專利]一種制造黑硅材料的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410474697.6
• 申請(qǐng)日: 2014-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN104347759A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李世彬;王健波;楊光金;黃俊龍;吳志明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

1.一種制造黑硅材料的方法，其特征在于，包括：

制備硅襯底材料；

在氮?dú)夂土虻幕旌蠚夥罩杏眉す饷}沖照射所述硅襯底材料；

在經(jīng)過了所述激光脈沖照射之后的所述硅襯底材料表面沉積鈍化層；

對(duì)沉積了所述鈍化層的所述硅襯底材料進(jìn)行高溫退火處理。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅襯底材料為N型硅襯底材料。

3.如權(quán)利要求1或者2所述的方法，其特征在于：在所述混合氣氛中，所述氮?dú)馀c所述六氟化硫的摩爾比為3:1至1:3。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述激光脈沖的波長為100納米至800納米。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述激光脈沖的寬度為200飛秒至800飛秒。

6.如權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：所述激光脈沖的能量密度為1千焦每平方米至8千焦每平方米。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：用原子層沉積法在經(jīng)過了所述激光脈沖照射之后的所述硅襯底材料表面沉積所述鈍化層。

8.如權(quán)利要求1或者7所述的方法，其特征在于：所述鈍化層為氧化鋁層、二氧化硅層或者氮化硅層。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述高溫退火處理的退火溫度為550攝氏度至750攝氏度。

10.如權(quán)利要求1或者9所述的方法，其特征在于：所述高溫退火處理的退火時(shí)間為15分鐘至35分鐘。