[發(fā)明專利]用于相變存儲器的Zn-Sb-Se相變存儲薄膜材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410473416.5 | 申請日： | 2014-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN104328326B | 公開（公告）日： | 2016-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王國祥;沈祥;徐培鵬;呂業(yè)剛;陳益敏;田曼曼;李軍建;戴世勛;聶秋華;徐鐵峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | C22C30/06 | 分類號： | C22C30/06;C23C14/35;C23C14/14;H01L45/00 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 蔡菡華 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 相變 存儲器 zn sb se 存儲 薄膜 材料 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.用于相變存儲器的Zn-Sb-Se相變存儲薄膜材料，其特征在于所述的相變存儲薄膜材料為富Sb的Zn-Sb-Se化合物，其化學結(jié)構(gòu)式為ZnxSbySez，其中：0<x<35，45<y<55，20<z<55，x+y+z=100。
2.如權(quán)利要求1所述的用于相變存儲器的Zn-Sb-Se相變存儲薄膜材料，其特征在于所述的相變存儲薄膜材料的化學結(jié)構(gòu)式為Zn19.0Sb45.7Se35.3。
3.如權(quán)利要求1所述的用于相變存儲器的Zn-Sb-Se相變存儲薄膜材料，其特征在于所述的Zn-Sb-Se相變存儲薄膜材料由ZnSb合金靶和SbSe合金靶在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中通過雙靶共濺射獲得。
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