[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410473102.5
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN104465356B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 牧幸生
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L27/108;H01L27/11;G11C11/40
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

具有主表面的半導(dǎo)體基板；

形成于所述半導(dǎo)體基板的所述主表面之上的柵極電極；

形成于所述柵極電極的側(cè)壁之上的側(cè)壁氧化物膜；

形成于所述柵極電極之上且含有氮化硅的第一絕緣層，

其中所述柵極電極包括含硅的第一電極層以及形成于所述第一電極層之上且含有硅化物的第二電極層，

其中所述第一絕緣層具有上表面，所述上表面與所述主表面相對并且具有形成于所述第二電極層之上的區(qū)域內(nèi)的凹陷部，

其中所述側(cè)壁氧化物膜覆蓋所述柵極電極和所述第一絕緣層的側(cè)壁，以及

形成于所述柵極電極與所述第一絕緣層之間且含有二氧化硅的第二絕緣層，

其中所述凹陷部被形成為延伸穿過所述第一絕緣層并且使所述第二絕緣層的一部分從所述第一絕緣層中露出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

形成于所述半導(dǎo)體基板的所述主表面內(nèi)的源極/漏極區(qū)對，位于所述柵極電極之下的溝道形成區(qū)介于所述源極/漏極區(qū)對之間，

其中所述凹陷部被形成為沿著所述柵極電極的柵極寬度方向平行于所述源極/漏極區(qū)對中的每個區(qū)延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述凹陷部在平面圖中具有比所述源極/漏極區(qū)對中的每個區(qū)的長度大的長度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第二絕緣層具有與所述凹陷部連通的通孔，并且

其中所述凹陷部和所述通孔被形成為使所述第二電極層的一部分從所述第一絕緣層及所述第二絕緣層中露出。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述凹陷部具有在平面圖中形成為直線形狀的直線部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述凹陷部還具有在平面圖中于所述柵極電極的柵極長度方向上分別從所述直線部分的一端和另一端延伸出的第一及第二尖端部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述凹陷部在平面圖中形成為環(huán)形形狀。

8.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

提供具有主表面的半導(dǎo)體基板；

在所述主表面上形成柵極電極，所述柵極電極包括含硅的第一電極層以及形成于所述第一電極層之上且含有硅化物的第二電極層；

在所述柵極電極之上形成含有氮化硅且具有上表面的第一絕緣層，所述上表面與所述主表面相對并且被形成為具有凹陷部；

在具有所述凹陷部的所述第一絕緣層形成之后，在所述柵極電極的側(cè)表面上形成側(cè)壁氧化物膜；以及

在所述柵極電極與所述第一絕緣層之間形成含有二氧化硅的第二絕緣層，其中所述凹陷部被形成為延伸穿過所述第一絕緣層并且使所述第二絕緣層的一部分從所述第一絕緣層中露出。