[發明專利]一種提高晶體硅太陽能電池擴散均勻性的方法

有效

• 申請號: 201410472709.1
• 申請日: 2014-09-16
• 公開（公告）號: CN104319308B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 楊曉琴;陳園;張宇;王鵬;柳杉;殷建安;梅超;張偉
• 申請（專利權）人: 上饒光電高科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 江西省專利事務所36100
• 代理人: 楊志宇

1.一種提高晶體硅太陽能電池擴散均勻性的方法，其特征為：制絨后，在硅片制絨面上制備一層二氧化硅。

2.如權利要求2所述的一種提高晶體硅太陽能電池擴散均勻性的方法，其特征為：其中二氧化硅使用光化臭氧發生器制備而成。

3.一種提高晶體硅太陽能電池擴散均勻性的方法，其特征為：包括以下步驟：

1）將硅片進行常規制絨；

2）將制絨后的硅片置于光化臭氧產生器產生的臭氧氛圍中，使硅片的制絨面在臭氧中氧化，得到1-20nm的二氧化硅；

3）把在臭氧中氧化后的硅片進行擴散工藝，再進行常規鍍膜、正反面電極印刷、燒結。

4.如權利要求3所述的一種提高晶體硅太陽能電池擴散均勻性的方法，其特征為：光化臭氧產生器的氧氣流量為2-40L/min，吹掃時間為0.2-60min。

5.如權利要求3所述的一種提高晶體硅太陽能電池擴散均勻性的方法，其特征為：擴散工藝共包括以下步驟，擴散設備采用荷蘭TEMPRESS擴散爐：

1、準備階段：大N2流量5slm，壓力5pa；?

2、進舟階段：大N2?流量5slm，O2?流量0sccm，小N2?流量0sccm，壓力5Pa；

3、出舟階段：大N2?流量5slm?2slm，O2?流量0sccm，小N2?流量0sccm，壓力-30pa，時間8min；

4、檢漏階段：爐內通入氮氣8.5slm，大N2?流量5slm?2slm，O2?流量0sccm，小N2?流量0sccm，壓力-200pa，時間2min；

5、加熱階段：大N2?流量12slm，O2?流量0sccm，小N2?流量0sccm，壓力10pa，時間15min；

6、擴散階段：大N2?流量12slm，O2?流量350sccm，小N2?流量1000sccm，壓力10pa，時間15min，溫度800℃?-850℃?；

7、后氧化階段：大N2?流量12slm，O2?流量500sccm，小N2?流量50sccm，壓力10pa，時間6min；?

8、推進階段：大N2?流量12slm，O2?流量4500sccm，小N2?流量50sccm，壓力10Pa，時間6min；

9、擴散階段：大N2?流量12slm，O2?流量350sccm，小N2?流量1000sccm，壓力10pa，時間2min，溫度800℃?-850℃?；

10、推進階段：：大N2?流量12slm，O2?流量500sccm，小N2?流量50sccm，壓力10pa，時間7min；?

11、冷卻階段：大N2?流量12slm，O2?流量0sccm，小N2?流量0sccm，壓力15Pa，時間15min；

12、進槳階段：大N2?流量10slm，O2?流量0sccm，小N2?流量0sccm，壓力-30Pa，時間10min；

13、退出階段：大N2?流量12slm，O2?流量0sccm，小N2?流量0sccm，壓力5Pa，時間8min。