[發明專利]一種電阻型隨機讀取存儲器及其寫操作方法

在審

• 申請號: 201410471864.1
• 申請日: 2014-09-16
• 公開（公告）號: CN105448332A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 林殷茵;楊建國
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 上海元一成知識產權代理事務所(普通合伙) 31268
• 代理人: 吳桂琴

1.一種電阻型隨機讀取存儲器，其特征在于，包括：

寫操作信號生成模塊(350)，其用于至少生成置位(Set)/復位(Reset)操作信號的預操作信號以及電壓逐漸下降/上升的轉換操作信號；以及

開始轉換監測模塊(310)，其至判斷被偏置有所述預操作信號的電阻型隨機讀取存儲器的存儲單元是否發生開始由高阻態/低阻態向低阻態/高阻態轉換，并在發生開始由高阻態/低阻態向低阻態/高阻態轉換時輸出第一反饋信號(FB1)；

其中，所述寫操作信號(350)生成模塊基于所述第一反饋信號(FB1)生成所述轉換操作信號并將其偏置在所述存儲單元上以繼續進行所述由高阻態/低阻態向低阻態/高阻態轉換的置位/復位操作過程。

2.如權利要求1所述的電阻型隨機讀取存儲器，其特征在于，所述開始轉換監測模塊(310)還被配置用于監測置位/復位操作是否成功、并在監測到成功進行置位/復位操作時輸出第二反饋信號(FB2)；

并且，所述寫操作信號(350)生成模塊基于所述第二反饋信號(FB2)終止生成所述轉換操作信號。

3.如權利要求1或2所述的電阻型隨機讀取存儲器，其特征在于，所述開始轉換監測模塊(310)包括：

寫通路電流檢測器(311)，其用于動態檢測在偏置置位/復位操作信號于被選中的存儲單元上時寫通路上的寫電流(I_write)；以及

邊沿檢測電路，其至少用于監測出發生開始由高阻態/低阻態向低阻態/高阻態轉換并輸出所述第一反饋信號(FB1)；

其中，所述寫通路電流檢測器(311)基于所述寫電流(I_write)輸出在偏置置位/復位操作信號于被選中的存儲單元上時從寫通路所檢測的電壓信號(V_detect)，該檢測的電壓信號(V_detect)被輸入至所述邊沿檢測電路。

4.如權利要求3所述的電阻型隨機讀取存儲器，其特征在于，所述邊沿檢測電路包括微分電路(312)和第一比較器(313)。

5.如權利要求3所述的電阻型隨機讀取存儲器，其特征在于，所述邊沿檢測電路還用于監測置位/復位操是否成功、并在監測到成功進行置位/復位操作時輸出第二反饋信號(FB2)。

6.如權利要求1或2所述的電阻型隨機讀取存儲器，其特征在于，所述開始轉換監測模塊(310)包括：

寫通路電流檢測器(311)，其用于動態檢測在偏置置位/復位操作信號于被選中的存儲單元上時寫通路上的寫電流(I_write)；以及

第二比較器(314)；

其中，所述寫通路電流檢測器(311)基于所述寫電流(I_write)輸出在偏置置位/復位操作信號于被選中的存儲單元上時從寫通路所檢測的電壓信號(V_detect)，該檢測的電壓信號(V_detect)被輸入至第二比較器(314)，所述第二比較器(314)將該檢測的電壓信號(V_detect)與第一預定值(I_set1/I_Reset1)進行比較，在該檢測的電壓信號(V_detect)大于/小于第一預定值(I_set1/I_Reset1)時，表示發生開始由高阻態/低阻態向低阻態/高阻態轉換，所述第二比較器(314)輸出所述第一反饋信號(FB1)。

7.如權利要求6所述的電阻型隨機讀取存儲器，其特征在于，所述第二比較器(314)被配置為將該檢測的電壓信號(V_detect)與第二預定值(I_set2/I_Reset2)進行比較，在該檢測的電壓信號(V_detect)大于/小于第二預定值(I_set2/I_Reset2)時，表示置位/復位操成功，所述第二比較器(314)輸出第二反饋信號(FB2)。

8.如權利要求1所述的電阻型隨機讀取存儲器，其特征在于，所述預操作信號的電壓值恒定或者電壓值逐漸上升。