[發明專利]一種超小尺寸無塑封裝在審
| 申請號： | 201410471317.3 | 申請日： | 2014-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN104241220A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發明（設計）人： | 劉勝;付興銘;王小平;陳斌 | 申請（專利權）人： | 武漢大學;武漢飛恩微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 430072 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 尺寸 塑封 | ||
1.一種超小尺寸無塑封裝，其特征在于，包括一個或多個MEMS傳感器芯片、ASIC芯片、硅通孔和凸點，所述MEMS傳感器芯片和所述ASIC芯片采用堆疊的方式設置，并采用所述硅通孔和凸點進行電連接。
2.根據權利要求1所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述堆疊采用MEMS傳感器芯片在上、ASIC芯片位于下方的方式。
3.根據權利要求2所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述MEMS傳感器芯片采用倒裝焊的形式堆疊在ASIC上。
4.根據權利要求1所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述ASIC芯片采用倒裝焊的形式。
5.根據權利要求1所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述MEMS傳感器芯片為壓力傳感器、磁傳感器、加速度傳感器、陀螺儀中的一種或者多種。
6.根據權利要求1所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述ASIC芯片具有可對信號進行重分布的中介層。
7.根據權利要求5所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述壓力傳感器芯片采用正裝的方式堆疊，即壓力傳感器芯片的敏感膜片正面在上方。
8.根據權利要求1所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述硅通孔采用傳統的TSV制作工藝或共軸通孔填充技術實現。
9.根據權利要求1所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述多個MEMS傳感器芯片依次垂直堆疊。
10.根據權利要求9所述的超小尺寸無塑封裝，其特征在于，所述MEMS傳感器芯片為多個時，位于下方的MEMS傳感器芯片層層傳遞上一層芯片的信號到達所述ASIC芯片。
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