[發(fā)明專利]一種帶凹槽的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410471252.2
• 申請日: 2014-09-16
• 公開（公告）號: CN104218278A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 朱田中;顧雪興
• 申請（專利權）人: 張家港保稅區(qū)燦勤科技有限公司
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 陸華君

技術領域

本發(fā)明涉及一種陶瓷電介質(zhì)濾波器，尤其是涉及一種帶凹槽的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器。

背景技術

隨著無線移動通信技術的迅猛發(fā)展，對通信基站、直放站等設備的性能要求越來越高，其中，濾波器作為選頻器件在帶寬頻率內(nèi)應具有良好的帶通，但對于帶寬以外的射頻信號應具有很好的抑制能力。

目前現(xiàn)有技術中，傳統(tǒng)的陶瓷電介質(zhì)濾波器是由陶瓷材料構成的一體式介質(zhì)塊，且該介質(zhì)塊的外表面都比較平整。

然而對于上述陶瓷電介質(zhì)濾波器，在設計和制造上要調(diào)整通過頻帶的頻率較為容易，但對于帶外抑制有較高要求則不容易滿足。以往為了提高帶外抑制性能，通常需要在介質(zhì)塊外側(cè)局部加裝金屬屏蔽罩來改善帶外抑制性能。即使采用了這種外加屏蔽措施，但帶外抑制效果改善仍不理想。

因此，如何設計一種帶外抑制效果好的陶瓷電介質(zhì)濾波器是本領域的技術難題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種帶凹槽的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器，以解決提高帶外抑制效果的技術問題。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種帶凹槽的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器，包括：由陶瓷材料構成的介質(zhì)塊，且該介質(zhì)塊表面設有金屬鍍層，所述介質(zhì)塊的兩端分別連接有連接器，所述介質(zhì)塊的一對側(cè)面上對稱分布有若干平行凹槽，各凹槽分別與介質(zhì)塊的中心軸線正交。

為了進一步提高帶外抑制效果，位于一側(cè)面的凹槽至少三個。

進一步，三個凹槽中，第一、第三凹槽的槽深相同，且第二凹槽的槽深大于第一凹槽的槽深。

進一步，為了更好的提高帶外抑制效果，所述第二凹槽與第一凹槽的槽深比為3:1。

本發(fā)明的上述技術方案相比現(xiàn)有技術具有以下優(yōu)點：本發(fā)明中的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器位于兩側(cè)的凹槽可以減小諧振器之間的干涉，并增大了相對接地效果，使在沒有任何外加屏蔽措施的條件下，就能實現(xiàn)較大的帶外抑制。本發(fā)明的陶瓷電介質(zhì)濾波器與現(xiàn)有外加屏蔽措施的陶瓷電介質(zhì)濾波器相比，能夠滿足較大的帶外抑制效果，而且不需要增加任何屏蔽措施。

附圖說明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)的具體實施例并結合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中

圖1是本發(fā)明的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器的主視圖；

圖2示出了本發(fā)明的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器的俯視圖。

其中，介質(zhì)塊1、連接器2、金屬鍍層100、第一凹槽101、第二凹槽102、第三凹槽103。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明了，下面結合具體實施方式并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

圖1示出了本發(fā)明的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器的主視圖。

圖2示出了本發(fā)明的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器的俯視圖。

如圖1和圖2所示，一種帶凹槽的陶瓷電介質(zhì)波導濾波器，包括：由陶瓷材料構成的介質(zhì)塊1，且該介質(zhì)塊1表面設有金屬鍍層100，所述介質(zhì)塊1的兩端分別連接有連接器2，所述介質(zhì)塊1的一對側(cè)面上對稱分布有若干平行凹槽(101、102、103)，各凹槽(101、102、103)與分別介質(zhì)塊1的中心軸線A正交。具體的，所述金屬鍍層100可以鍍銀、鍍金、鍍銅或鍍鋁；其中，鍍銀和鍍銅更容易實施，而且效果好。所述連接器2為兩個端子，其中，中一個是信號輸入端子，另一個是信號輸出端子，且發(fā)送端子用于連接發(fā)送電路，接收端子用于連接接收電路。所述中心軸線在圖1和圖2中用A表示，從圖中可以看出，凹槽的走向與中心軸線A正交。

進一步，位于一側(cè)面的凹槽(101、102、103)至少三個。具體的，三個凹槽中，第一凹槽101、第三凹槽103的槽深相同，且第二凹槽102的槽深大于第一凹槽的槽深。優(yōu)選的，所述第二凹槽與第一凹槽的槽深比為3:1，以進一步提高帶外抑制效果。

應當理解的是，本發(fā)明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理，而不構成對本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。此外，本發(fā)明所附權利要求旨在涵蓋落入所附權利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。