[發(fā)明專利]晶片清洗液及應(yīng)用其的晶片加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410469017.1 | 申請日： | 2014-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN105441201B | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂志升;許嘉豪;黃禮勇;張鴻銘 | 申請（專利權(quán)）人： | 長春石油化學(xué)股份有限公司 |
| 主分類號： | C11D1/722 | 分類號： | C11D1/722;C11D3/37;H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 清洗 應(yīng)用 加工 方法 | ||
1.一種晶片清洗液，包括：
0.01wt％至30wt％的水溶性高分子，該水溶性高分子的霧點(diǎn)為攝氏30至80度之間，且該水溶性高分子選自于聚乙烯醇類聚合物及其共聚物所組成族群；以及
0.01wt％至10wt％的界面活性劑，其余為水。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片清洗液，其中該聚乙烯醇類聚合物及其共聚物的聚合度為300至3000。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片清洗液，其中該聚乙烯醇類聚合物及其共聚物的堿化度為65至99摩爾百分比。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片清洗液，其中該晶片清洗液的表面張力稀釋比例在5000倍以下，其表面張力為45.0達(dá)因/厘米以下。
5.如權(quán)利要求1所述的晶片清洗液，其中該界面活性劑包括非離子型界面活性劑、陽離子界面活性劑、陰離子界面活性劑或兩性離子界面活性劑。
6.如權(quán)利要求5所述的晶片清洗液，其中該非離子型界面活性劑包括辛醇、癸醇、十二烷醇、十三烷醇、十八烷醇、油醇、辛基酚、壬基酚、十二烷基酚化合物的乙氧基及/或丙氧基加成的化合物，或以上的混合物。
7.一種晶片加工方法，包括：
提供晶片；
對該晶片進(jìn)行切割制作工藝或研磨制作工藝；以及
以如權(quán)利要求1至6中任一所述的晶片清洗液進(jìn)行清洗制作工藝。
8.如權(quán)利要求7所述的晶片加工方法，其中該研磨制作工藝包括化學(xué)機(jī)械研磨法或機(jī)械式研磨法。
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