[發明專利]提高擴散爐首尾芯片參數一致性的方法

有效

• 申請號: 201410468782.1
• 申請日: 2014-09-15
• 公開（公告）號: CN104217932B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 劉金虎;趙衛;宋洪德
• 申請（專利權）人: 吉林華微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 陶尊新

1.提高擴散爐首尾芯片參數一致性的方法，其特征是，該方法由以下步驟實現：

步驟一、選擇多片單晶片進行相應離子劑量，離子能量和參雜類型的注入；獲得注入后的單晶片；

步驟二、從石英舟爐里從內到外的方向依次放置五片擋片，至少兩片注入后的單晶片，正式片，至少兩片注入后的單晶片和十片擋片；然后將所述石英舟爐放入高溫爐管中；

步驟三、對所述高溫爐管進行升溫、通氣體、恒溫和降溫，獲得擴散爐內首尾參數一致的芯片。

2.根據權利要求1所述的提高擴散爐首尾芯片參數一致性的方法，其特征在于，步驟一中所述的選擇多片單晶片進行相應離子劑量、離子能量和參雜類型的注入，具體的參雜類型包括n型雜質和p型雜質兩種，n型雜質采用P，P型雜質采用硼。

3.根據權利要求1所述的提高擴散爐首尾芯片參數一致性的方法，其特征在于，步驟三中對高溫爐管進行升溫、通氣體、恒溫和降溫的具體過程為：芯將高溫爐管升溫至800度，向高溫爐管中通N₂氣體，停止通入N₂后繼續通入O₂，然后以5度/分鐘的速率將高溫爐管升溫到1150度，并恒溫80分鐘，最后，向高溫爐管中通入H₂、O₂并恒溫130分鐘，關閉H₂、O₂，再通入N₂，以3.3度/分鐘的速率將高溫爐管降溫到800度，將芯片從高溫爐管中取出，獲得擴散爐內首尾參數一致的芯片。