[發明專利]振蕩裝置

無效

• 申請號: 201410468600.0
• 申請日: 2014-09-15
• 公開（公告）號: CN104467822A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 依田友也
• 申請（專利權）人: 日本電波工業株式會社
• 主分類號: H03L7/08
• 分類號: H03L7/08
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明涉及一種振蕩裝置，其具備用以產生時脈(clock)的晶體振子及振蕩電路。

背景技術

作為振蕩裝置，有構成為如圖9所示的恒溫晶體振蕩器(oven?controlled?crystal?oscillator，OCXO)100的情況。在該OCXO100中，利用分別從兩個晶體振子輸出的頻率的差而計算恒溫槽內的溫度。然后，基于該計算出的溫度，以抑制從壓控晶體振蕩器(Voltage-controlled?Crystal?Oscillator，VCXO)43輸出的頻率的變動的方式修正加熱器46的輸出，并且變更從溫度修正頻率計算部32向鎖相環路(phase?locked?loop，PLL)電路部41的輸出即頻率修正值。關于OCXO100的各部分會在實施方式中進行說明，因此在該背景技術的項目中，視需要僅限于說明各部分的概略。此外，專利文獻1中也記載著大致相同構成的OCXO。

在該OCXO100中，第一振蕩電路(oscillator，OSC)11、第二振蕩電路21及數字控制電路33等包含數字信號處理部3即共用的大型集成電路(Large?Scale?Integration，LSI)。所述第一振蕩電路11的振蕩頻率用作所述LSI的系統時脈(system?clock)。此外，晶體振子的振蕩特性根據每個個體而存在偏差。另外，作為使晶體振子振蕩的振蕩電路以如下方式構成，即，通過使所設定的振蕩參數(parameter)變化，而即便如此般在晶體振子的個體存在偏差，也可使各晶體振子以指定范圍的頻率振蕩。所述振蕩參數為振蕩電路的電路常數，通過設定該振蕩參數，而設定在該振蕩電路中流動的電流值或構成振蕩電路的電容器(condenser)的電容值及電感(inductor)值等。

在所述OCXO100的LSI儲存著初始參數，該初始參數是在該OCXO100剛接通電源之后設定在該LSI的各部分而用以使該LSI啟動，該初始參數中也包含所述振蕩參數。即，在電源剛接通之后，預先決定在第一振蕩電路11設定的振蕩參數，且將該振蕩參數設為標準振蕩參數。

一面參照圖10的概念圖一面繼續說明。圖中A為所述LSI的時脈的頻率范圍，當在所述電源接通時，一旦該頻率范圍A內的時脈被供給，則所述LSI可啟動。已啟動的LSI可適當設定構成該LSI的各電路的參數，從而可從OCXO100輸出所需的頻率。圖中B表示可通過LSI使晶體振子振蕩的范圍(可變更范圍)。關于以該可變更范圍B內的頻率振蕩的晶體振子，通過將第一振蕩電路11的振蕩參數從所述標準振蕩參數變更為其他值的振蕩參數，而能夠以其振蕩頻率收斂于時脈頻率范圍A內的方式變更振蕩頻率。

如果設定所述標準振蕩參數，則圖10所示的晶體振子C以可變更范圍B內、且所述時脈頻率范圍A內的頻率振蕩，因此對所述LSI供給適當的時脈(頻率范圍A內的時脈)。因此，晶體振子C可用作所述第一晶體振子10。

圖10的晶體振子D雖在所述可變更范圍B內振蕩，但在時脈頻率范圍A外振蕩。此處，如果LSI被供給適當的時脈而啟動，則該LSI可將第一振蕩電路11的標準振蕩參數變更為從例如LSI的外部讀入的振蕩參數，從而可使晶體振子D在時脈頻率范圍A內振蕩。然而，在LSI未被供給時脈而未啟動的狀態下，由于無法進行該振蕩參數的變更，因此晶體振子D無法用作第一晶體振子10。

如果進一步舉例說明，則設為例如所述LSI的時脈頻率范圍A為50MHz～90MHz。另外，設為通過所述標準振蕩參數來振蕩的第一晶體振子10的振蕩頻率為20MHz。如果能夠以3倍頻使用第一晶體振子10而獲得60MHz的輸出，則可對LSI供給適當的時脈而使該LSI啟動，但由于標準振蕩參數已被預先決定，因此無法獲得該60MHz的輸出。

作為對策，考慮以如下方式構成OCXO100，即在電源接通時，即便在20MHz及60MHz中的任一情況下，均可使第一晶體振子10振蕩。具體而言，例如在LSI的外部設置外接電路，經由該外接電路而將晶體振子與振蕩電路連接，通過該外接電路來調整晶體振子與振蕩電路之間的電容成分及電感成分。然而，如此般應對會導致電路規模增大。另外，也考慮新開發LSI以使晶體振子能夠以20MHz及60MHz振蕩，但為此需要大量資金。