[發(fā)明專利]倒裝LED芯片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410468375.0 | 申請(qǐng)日： | 2014-09-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104269486A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李智勇;徐惠文;張宇;李起鳴 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 映瑞光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/48 | 分類號(hào)： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 倒裝 led 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供襯底，在所述襯底上依次形成N型GaN、量子阱層及P型GaN；
依次刻蝕所述P型GaN和量子阱層，形成電極平臺(tái)，所述電極平臺(tái)暴露出所述N型GaN；
在所述P型GaN上形成透明導(dǎo)電層；
在所述透明導(dǎo)電層的表面形成設(shè)有圖案的隔離層，所述隔離層的圖案暴露出部分所述透明導(dǎo)電層，所述隔離層覆蓋所述電極平臺(tái)處的透明導(dǎo)電層、P型GaN和量子阱層的側(cè)壁；
在所述圖案的隔離層上形成P電極，所述P電極通過(guò)圖案與所述透明導(dǎo)電層相連，在所述N型GaN及部分隔離層的表面形成N電極。
2.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的材質(zhì)為ITO、AZO、ZnO或NiAu，采用電子束或?yàn)R射方式蒸鍍形成。
3.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，所述設(shè)有圖案的隔離層為分布布拉格反射鏡，為SiO2和Ti3O5不同折射率材料的疊層，疊層范圍為1～31層。
4.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，所述P電極和N電極采用蒸鍍或?yàn)R射方式形成，材質(zhì)為Au或Sn并搭配Cr、Al、Ti或Pt。
5.一種倒裝LED芯片，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的制備方法形成，包括：
襯底、N型GaN、量子阱層、P型GaN、透明導(dǎo)電層、設(shè)有圖案的隔離層、P電極和N電極，其中，所述N型GaN、量子阱層、P型GaN和透明導(dǎo)電層依次堆疊形成在所述襯底的表面，所述N型GaN設(shè)有電極平臺(tái)，所述電極平臺(tái)暴露出所述N型GaN的表面和量子阱層、P型GaN及透明導(dǎo)電層的側(cè)壁，所述設(shè)有圖案的隔離層形成在所述量子阱層、P型GaN及透明導(dǎo)電層的側(cè)壁及透明導(dǎo)電層的表面，并由圖案暴露出所述透明導(dǎo)電層，所述P電極形成在所述設(shè)有圖案的隔離層上并與暴露出的透明導(dǎo)電層相連，所述N電極形成在N型GaN的表面并覆蓋部分設(shè)有圖案的隔離層。
6.如權(quán)利要求5所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述倒裝LED芯片的長(zhǎng)寬比范圍為1:1～5:1。
7.如權(quán)利要求5所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述P電極和N電極的俯視圖為圓形或多邊形。
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