[發明專利]倒裝LED芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 201410468375.0
• 申請日: 2014-09-15
• 公開（公告）號: CN104269486A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 李智勇;徐惠文;張宇;李起鳴
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底，在所述襯底上依次形成N型GaN、量子阱層及P型GaN；

依次刻蝕所述P型GaN和量子阱層，形成電極平臺，所述電極平臺暴露出所述N型GaN；

在所述P型GaN上形成透明導電層；

在所述透明導電層的表面形成設有圖案的隔離層，所述隔離層的圖案暴露出部分所述透明導電層，所述隔離層覆蓋所述電極平臺處的透明導電層、P型GaN和量子阱層的側壁；

在所述圖案的隔離層上形成P電極，所述P電極通過圖案與所述透明導電層相連，在所述N型GaN及部分隔離層的表面形成N電極。

2.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，所述透明導電層的材質為ITO、AZO、ZnO或NiAu，采用電子束或濺射方式蒸鍍形成。

3.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，所述設有圖案的隔離層為分布布拉格反射鏡，為SiO₂和Ti₃O₅不同折射率材料的疊層，疊層范圍為1～31層。

4.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，所述P電極和N電極采用蒸鍍或濺射方式形成，材質為Au或Sn并搭配Cr、Al、Ti或Pt。

5.一種倒裝LED芯片，其特征在于，采用如權利要求1至4中任一項所述的制備方法形成，包括：

襯底、N型GaN、量子阱層、P型GaN、透明導電層、設有圖案的隔離層、P電極和N電極，其中，所述N型GaN、量子阱層、P型GaN和透明導電層依次堆疊形成在所述襯底的表面，所述N型GaN設有電極平臺，所述電極平臺暴露出所述N型GaN的表面和量子阱層、P型GaN及透明導電層的側壁，所述設有圖案的隔離層形成在所述量子阱層、P型GaN及透明導電層的側壁及透明導電層的表面，并由圖案暴露出所述透明導電層，所述P電極形成在所述設有圖案的隔離層上并與暴露出的透明導電層相連，所述N電極形成在N型GaN的表面并覆蓋部分設有圖案的隔離層。

6.如權利要求5所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述倒裝LED芯片的長寬比范圍為1:1～5:1。

7.如權利要求5所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述P電極和N電極的俯視圖為圓形或多邊形。