[發(fā)明專利]一體金屬框架靜電釋放圈用于指紋傳感器結(jié)構(gòu)及制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410467922.3
• 申請日: 2014-09-15
• 公開（公告）號: CN104269393A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁志忠;章春燕;王亞琴;王孫艷;劉愷;張江華
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;G06K9/62
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一體金屬框架靜電釋放圈用于指紋傳感器結(jié)構(gòu)及制造方法，屬于指紋識別傳感器封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

指紋識別傳感器封裝結(jié)構(gòu)表面經(jīng)常會由于使用者手指的觸劃而產(chǎn)生靜電，靜電可能會向封裝體內(nèi)部電路或傳感器放電而造成該內(nèi)部的電路或傳感器擊穿損壞。

在現(xiàn)有的技術(shù)中，實現(xiàn)靜電釋放如蘋果專利AU2013100571A4，在基板正面的感應(yīng)芯片外圍組裝設(shè)置一圈靜電釋放圈。靜電釋放圈都是后續(xù)配置到感應(yīng)芯片或者基板正面，可能會出現(xiàn)靜電釋放圈位置偏移的問題以及組裝結(jié)合不好而影響芯片感測區(qū)范圍以及增加電阻率，從而影響整個指紋識別傳感器的識別效果以及因為電阻率的增加無法快速的釋放人體靜電所帶來的靜電傷害。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種一體金屬框架靜電釋放圈用于指紋傳感器結(jié)構(gòu)及制造方法，其靜電釋放圈是由金屬載板半蝕刻保留的金屬圈而形成，靜電釋放圈與金屬框架成一體結(jié)構(gòu)，制程工藝簡單靜電釋放更無阻力，避免了傳統(tǒng)靜電釋放圈再進行二次組裝于載板上而產(chǎn)生的位置偏移以及結(jié)合不好所產(chǎn)生的電阻阻抗問題，提高了靜電釋放圈與感應(yīng)芯片位置的配對準確性，從而提高感應(yīng)芯片的識別效果，同時也達到更好的靜電釋放的效果。

本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的：一種一體金屬框架靜電釋放圈用于指紋傳感器結(jié)構(gòu)，它包括金屬框架，所述金屬框架正面設(shè)置有凹槽，所述凹槽外圍設(shè)置有靜電釋放圈，所述凹槽內(nèi)設(shè)置有基島和引腳，所述基島包括基島上部和基島下部，所述引腳包括引腳上部和引腳下部，所述基島上部正面通過裝片膠設(shè)置有感應(yīng)芯片，所述感應(yīng)芯片正面與引腳上部正面之間通過金屬焊線相連接，所述基島上部與引腳上部之間、引腳上部與引腳上部之間、引腳上部與靜電釋放圈之間以及感應(yīng)芯片外圍區(qū)域填充有上層塑封料，所述基島下部與引腳下部之間、引腳下部與引腳下部之間以及引腳下部與靜電釋放圈之間填充有下層塑封料，所述靜電釋放圈突出于上層塑封料，所述金屬框架表面設(shè)置有防氧化金屬層。

所述上層塑封料頂部呈凹形結(jié)構(gòu)，所述上層塑封料的凹部區(qū)域內(nèi)設(shè)置有防刮傷層。

所述基島下部、引腳下部和靜電釋放圈底部設(shè)置有金屬球。

所述引腳有多圈。

所述防刮傷層莫氏硬度在7H~9H之間。

一種一體金屬框架靜電釋放圈用于指紋傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取一個帶有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬載板；

步驟二、披覆光阻膜作業(yè)

在金屬框架正面及背面分別披覆可進行曝光顯影的光阻膜；?

步驟三、金屬載板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成披覆光阻膜作業(yè)的金屬載板凹槽內(nèi)部進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬載板凹槽內(nèi)部后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形；

步驟四、電鍍多層電鍍線路層

將步驟三中金屬載板凹槽內(nèi)部完成曝光顯影的區(qū)域進行電鍍線路層作業(yè)，電鍍完成后即在金屬載板上形成相應(yīng)的基島和引腳上部，?

步驟五、去除光阻膜

去除金屬載板表面的光阻膜；

步驟六、裝片

在步驟五的基島上部正面通過裝片膠植入芯片；

步驟七、金屬線鍵合

在芯片正面與引腳上部正面之間進行鍵合金屬線作業(yè)；

步驟八、包封

在完成裝片打線后的金屬載板凹槽內(nèi)部進行環(huán)氧樹脂塑封保護，形成上層塑封料；

步驟九、披覆光阻膜作業(yè)

將步驟八中的金屬載板正面及背面分別披覆可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十、金屬載板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備將步驟九完成披覆光阻膜作業(yè)的金屬載板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬載板背面后續(xù)需要進行蝕刻的區(qū)域圖形；

步驟十一、化學(xué)蝕刻

將步驟十中金屬載板正面完成曝光顯影的區(qū)域進行化學(xué)蝕刻，蝕刻完成后即在金屬載板背面形成基島和引腳下部，步驟一中的金屬載板部分、步驟四電鍍形成的基島和引腳上部以及步驟十一蝕刻形成的基島和引腳下部結(jié)合形成金屬框架；

步驟十二、去除光阻膜

去除金屬框架表面的光阻膜；

步驟十三、包封

將步驟十二去除光阻膜后的金屬框架背面采用塑封料進行塑封，形成下層塑封料；

步驟十四、披覆防刮傷層

在步驟八中形成的上層塑封料凹部區(qū)域披覆上防刮傷層；

步驟十五、電鍍防氧化金屬層

在完成步驟十四后的金屬框架表面裸露在外的金屬進行電鍍抗氧化金屬層；

步驟十六、切割