[發明專利]邊界波諧振式磁傳感器有效
| 申請號： | 201410467102.4 | 申請日： | 2014-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN104215917B | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 周卓帆 | 申請（專利權）人： | 瑞聲光電科技(常州)有限公司 |
| 主分類號： | G01R33/02 | 分類號： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 213167 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 邊界 諧振 傳感器 | ||
1.一種邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于，其包括：
一壓電基底；
一電介質層，形成在該壓電基底的一個表面上，其包括與該壓電基底相結合的下表面和與該下表面相對設置的上表面；
一叉指電極，設置于壓電基底和電介質層之間并被該電介質層覆蓋，其用于產生邊界波；
一磁致伸縮薄膜，形成于該電介質層的上表面，并遮蓋所述叉指電極，用于感應外界磁場并基于該外界磁場而改變自身楊氏模量；
其中，所述磁致伸縮薄膜自身楊氏模量的變化引起上述邊界波的諧振頻率變化，所述邊界波諧振式磁傳感器通過檢測該邊界波的諧振頻率變化來檢測外界磁場的變化。
2.如權利要求1所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于：所述壓電基底為單晶壓電基底或壓電薄膜。
3.如權利要求1所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于：所述叉指電極包括叉指換能器和位于叉指換能器兩端的反射器。
4.如權利要求1所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于，所述電介質層的聲速小于壓電基底的聲速。
5.如權利要求1所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于，所述電介質層由二氧化硅制成。
6.如權利要求1所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于，所述磁致伸縮薄膜為具有單軸各向異性和巨楊氏模量效應的FeSiB、FeSiBC或FeCoSiB磁致伸縮薄膜。
7.如權利要求1所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于，所述邊界波諧振式磁傳感器還包括在磁致伸縮薄膜遠離所述電介質層的表面上形成的保護層。
8.如權利要求7所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于，所述保護層由樹脂材料制成，其用于吸收雜波和保護所述磁致伸縮薄膜。
9.如權利要求7所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于，所述保護層由高聲速材料制成，其用于隔離磁致伸縮薄膜表面免受環境因素的影響。
10.如權利要求7所述的邊界波諧振式磁傳感器，其特征在于，所述保護層由二氧化硅制成，其用于改善該邊界波諧振式磁傳感器的頻率溫度特性。
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