[發(fā)明專利]一種快閃存儲器的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410466643.5
• 申請日: 2014-09-12
• 公開（公告）號: CN105405809B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于法波;舒清明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;鄧猛烈

1.一種快閃存儲器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在半導體襯底上刻蝕有源區(qū)和隔離區(qū)，其中，所述半導體襯底由基底、犧牲層和掩模層依次層疊而成；

對所述掩模層進行回刻至所述犧牲層，并以剩余掩模層為掩模刻蝕所述犧牲層至所述基底；

在回刻所述掩模層和刻蝕所述犧牲層后的所述基底上形成襯墊層，以得到圓滑轉(zhuǎn)角的半導體結(jié)構(gòu)，所述襯墊層的厚度處于50納米～150納米之間；

在所述圓滑轉(zhuǎn)角的半導體結(jié)構(gòu)上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成隔離氧化物層以填滿所述隔離區(qū)；

部分移除所述隔離氧化物層和所述絕緣層直到所述隔離氧化物層和絕緣層與所述掩模層平齊為止；

去除位于有源區(qū)的所述掩模層，露出與所述掩模層接觸的犧牲層和部分絕緣層；

去除所述露出的犧牲層和部分絕緣層，露出有源區(qū)的基底；

在所述露出的有源區(qū)的基底上形成隧道氧化物層；

在所述隧道氧化物層上形成浮柵層；

在所述圓滑轉(zhuǎn)角的半導體結(jié)構(gòu)上形成絕緣層包括：

采用高溫氧化在隔離區(qū)溝槽側(cè)壁的襯墊層、犧牲層和掩模層上均勻的形成一層絕緣層；

去除所述露出的犧牲層和部分絕緣層，露出有源區(qū)的基底包括：

用氫氟酸溶液同時去除所述露出的犧牲層和部分絕緣層，露出有源區(qū)的基底，所述犧牲層的材料為氧化硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，采用現(xiàn)場蒸汽生成工藝在回刻所述掩模層和刻蝕所述犧牲層后的所述基底上形成襯墊層，以得到圓滑轉(zhuǎn)角的半導體結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，所述在所述圓滑轉(zhuǎn)角的半導體結(jié)構(gòu)上形成絕緣層包括：

在所述圓滑轉(zhuǎn)角的半導體結(jié)構(gòu)上形成絕緣層；

對所述絕緣層進行致密化處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，所述對所述絕緣層進行致密化處理的溫度范圍為700℃～900℃之間，維持時間為10min～60min之間，氣體氛圍為N₂或者N₂與Ar的混合氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成隔離氧化物層以填滿所述隔離區(qū)包括：

在所述絕緣層上形成隔離氧化物以填滿所述隔離區(qū)；

對所述隔離氧化物層進行蒸汽處理，所述蒸汽處理的溫度范圍為600℃～800℃之間；

對蒸汽處理后的隔離氧化物層進行致密化處理，所述對隔離氧化物進行致密處理的溫度范圍為900℃～1100℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，采用高溫氧化法在所述圓滑轉(zhuǎn)角的半導體結(jié)構(gòu)上形成絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，采用現(xiàn)場蒸汽生成工藝或干法氧化工藝在所述露出的有源區(qū)的基底上形成隧道氧化物層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，在所述隧道氧化物層上形成浮柵層之后，所述方法還包括：

對所述浮柵層進行平坦化處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，所述掩模層的材料為氮化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，用熱磷酸溶液去除位于有源區(qū)的氮化硅掩模層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器的制造方法，其特征在于，所述浮柵層的材料為多晶硅。