[發(fā)明專利]太陽能電池、太陽能電池模塊及太陽能電池的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410466355.X | 申請日： | 2014-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN105470322A | 公開（公告）日： | 2016-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 彭振維 | 申請（專利權(quán)）人： | 英屬開曼群島商精曜有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/042 | 分類號： | H01L31/042;H01L31/049;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 英屬開曼群*** | 國省代碼： | 開曼群島;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 模塊 制作方法 | ||
1.一種太陽能電池，包括：
一基板，具有相對設(shè)置的一第一表面和一第二表面；
一第一本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層，設(shè)置于該第二表面上；
一第二本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層，設(shè)置于該第二表面上，其中該第二本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層與該第一本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層互相分離；以及
一氮化硅層，設(shè)置于該第一本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層與該第二本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層間，其中該氮化硅層直接接觸該第二表面。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中該基板為一結(jié)晶半導(dǎo)體基板。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中該第一本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層以及該第二本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層呈現(xiàn)指叉狀布局。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中該氮化硅層的組成包括非晶氮化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中另包括一正電荷累積區(qū)，設(shè)置于該氮化硅層和該第二表面間的界面。
6.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中另包括一第一非晶半導(dǎo)體層和一第二非晶半導(dǎo)體層，分別設(shè)置于該第一本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層和該第二本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層上，該第一非晶半導(dǎo)體層與該第二非晶半導(dǎo)體層具有相異導(dǎo)電型。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中該基板與該第一非晶半導(dǎo)體層具有相同導(dǎo)電型。
8.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中該氮化硅層是設(shè)置于該第一非晶半導(dǎo)體層和該第二非晶半導(dǎo)體層間。
9.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中另包括：
一第一電極，設(shè)置于該第一非晶半導(dǎo)體層的上；以及
一第二電極，設(shè)置于該第二非晶半導(dǎo)體層上，其中該第二電極電性分離于該第一電極。
10.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中另包括一本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層，設(shè)置于該第一表面上。
11.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中另包括一抗反射層，設(shè)置于該第一表面上，其中該抗反射層與該氮化硅層是具有相同成份組成。
12.一種太陽能電池模塊，包括：
一前板；
一背板，與該前板相對設(shè)置；
多個太陽能電池，設(shè)置于該前板和該背板之間，各該太陽能電池包括：
一基板，具有相對設(shè)置的一第一表面和一第二表面；
一第一本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層，設(shè)置該第二表面上；
一第二本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層，設(shè)置該第二表面上，其中該本質(zhì)第二非晶半導(dǎo)體層與該第一非晶半導(dǎo)體層互相分離；以及
一氮化硅層，設(shè)置于該第一非晶半導(dǎo)體層與該第二非晶半導(dǎo)體層間，其中該氮化硅層直接接觸該第二表面；以及
一外框，設(shè)置于該前板以及該背板的周邊。
13.如權(quán)利要求12所述的太陽能電池模塊，其中該氮化硅層的組成包括非晶氮化硅。
14.如權(quán)利要求12所述的太陽能電池模塊，其中另包括一正電荷累積區(qū)，設(shè)置于該非晶氮化硅層和該第二表面間的界面。
15.如權(quán)利要求12所述的太陽能電池模塊，其中另包括一第一非晶半導(dǎo)體層和第二非晶半導(dǎo)體層，分別設(shè)置于該第一本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層和該第二本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層上，該第一非晶半導(dǎo)體層與該第二非晶半導(dǎo)體層具有相異導(dǎo)電型。
16.如權(quán)利要求15所述的太陽能模塊，其中該基板與該第一非晶半導(dǎo)體層具有相同導(dǎo)電型。
17.如權(quán)利要求15所述的太陽能電池模塊，其中該氮化硅層設(shè)置于該第一非晶半導(dǎo)體層和該第二非晶半導(dǎo)體層間。
18.如權(quán)利要求12所述的太陽能電池電池，其中另包括一抗反射層，設(shè)置于該第一表面上，其中該抗反射層與該氮化硅層具有相同成份組成。
19.一種太陽能電池制造方法，包括：
提供一基板，具有相對設(shè)置的一第一表面和一第二表面；
沉積一非晶半導(dǎo)體層于該第二表面上；
蝕刻該本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層，以形成一溝槽于該本質(zhì)非晶半導(dǎo)體層內(nèi)；以及
填入一氮化硅層至該溝槽內(nèi)，其中該氮化硅層直接接觸該第二表面。
20.如權(quán)利要求19所述的太陽能電池制造方法，其中該氮化硅層的組成包括非晶氮化硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
