[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410466295.1
• 申請日: 2014-09-12
• 公開（公告）號: CN104517793B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 豐田一行;廣地志有;山本哲夫;盛滿和廣;高崎唯史
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

向襯底供給原料氣體的工序；

向等離子體生成區(qū)域供給反應(yīng)氣體的工序；

向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力的工序；以及

使供給所述反應(yīng)氣體之前的所述等離子體生成區(qū)域內(nèi)的壓力為第一壓力，開始向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力后，向所述等離子體生成區(qū)域供給所述反應(yīng)氣體，將所述等離子體生成區(qū)域內(nèi)從所述第一壓力調(diào)壓至比所述第一壓力低的第二壓力來生成所述反應(yīng)氣體的等離子體的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在供給所述反應(yīng)氣體之前，具有供給比所述反應(yīng)氣體的流量多的吹掃氣體的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述等離子體的工序后，具有使所述反應(yīng)氣體從等離子體狀態(tài)返回氣體狀態(tài)的工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

交替地進(jìn)行生成所述等離子體的工序和所述返回氣體狀態(tài)的工序。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

所述第一壓力是使所述反應(yīng)氣體保持等離子體OFF狀態(tài)的壓力。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

所述第二壓力是使所述反應(yīng)氣體等離子體化的壓力。

7.一種襯底處理裝置，其特征在于，具有：

處理室，該處理室收納襯底；

原料氣體供給部，該原料氣體供給部向所述襯底供給原料氣體；

反應(yīng)氣體供給部，該反應(yīng)氣體供給部向所述襯底供給反應(yīng)氣體；

等離子體生成區(qū)域，該等離子體生成區(qū)域被供給所述反應(yīng)氣體，并使所述反應(yīng)氣體等離子體化；

激發(fā)部，該激發(fā)部在所述反應(yīng)氣體供給部將所述反應(yīng)氣體供給到所述等離子體生成區(qū)域之前，向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力；以及

控制部，該控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述激發(fā)部的結(jié)構(gòu)：使供給所述反應(yīng)氣體之前的所述等離子體生成區(qū)域的壓力為第一壓力，進(jìn)行向所述襯底供給原料氣體的處理，以及在開始向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力后，向所述等離子體生成區(qū)域供給所述反應(yīng)氣體，將所述等離子體生成區(qū)域內(nèi)從所述第一壓力調(diào)壓至比所述第一壓力低的第二壓力從而生成所述反應(yīng)氣體的等離子體的處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，

具有對所述處理室進(jìn)行排氣的排氣部，

所述控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述排氣部的結(jié)構(gòu)：在開始向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力后，向所述等離子體生成區(qū)域供給所述反應(yīng)氣體，將所述等離子體生成區(qū)域內(nèi)從所述第一壓力調(diào)壓至所述第二壓力。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，

還包含向所述處理室供給吹掃氣體的吹掃氣體供給部，所述控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述吹掃氣體供給部的結(jié)構(gòu)：在供給所述反應(yīng)氣體之前，進(jìn)行供給比所述反應(yīng)氣體的流量多的吹掃氣體的工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述激發(fā)部和所述反應(yīng)氣體供給部的結(jié)構(gòu)：在生成所述等離子體的工序后，在維持所述高頻電力的供給的狀態(tài)下進(jìn)行使所述反應(yīng)氣體從等離子體狀態(tài)返回氣體狀態(tài)的工序。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述激發(fā)部和所述反應(yīng)氣體供給部的結(jié)構(gòu)：交替地進(jìn)行生成所述等離子體的工序和所述返回氣體狀態(tài)的工序。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述排氣部中的任一方或雙方的結(jié)構(gòu)：使所述第一壓力成為使所述反應(yīng)氣體保持等離子體OFF狀態(tài)的壓力。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述排氣部中的任一方或雙方的結(jié)構(gòu)：使所述第二壓力成為使所述反應(yīng)氣體等離子體化的壓力。