[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201410466295.1
• 申請日: 2014-09-12
• 公開（公告）號: CN104517793B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 豐田一行;廣地志有;山本哲夫;盛滿和廣;高崎唯史
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

向襯底供給原料氣體的工序；

向等離子體生成區域供給反應氣體的工序；

向所述等離子體生成區域供給高頻電力的工序；以及

使供給所述反應氣體之前的所述等離子體生成區域內的壓力為第一壓力，開始向所述等離子體生成區域供給高頻電力后，向所述等離子體生成區域供給所述反應氣體，將所述等離子體生成區域內從所述第一壓力調壓至比所述第一壓力低的第二壓力來生成所述反應氣體的等離子體的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在供給所述反應氣體之前，具有供給比所述反應氣體的流量多的吹掃氣體的工序。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述等離子體的工序后，具有使所述反應氣體從等離子體狀態返回氣體狀態的工序。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

交替地進行生成所述等離子體的工序和所述返回氣體狀態的工序。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述第一壓力是使所述反應氣體保持等離子體OFF狀態的壓力。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述第二壓力是使所述反應氣體等離子體化的壓力。

7.一種襯底處理裝置，其特征在于，具有：

處理室，該處理室收納襯底；

原料氣體供給部，該原料氣體供給部向所述襯底供給原料氣體；

反應氣體供給部，該反應氣體供給部向所述襯底供給反應氣體；

等離子體生成區域，該等離子體生成區域被供給所述反應氣體，并使所述反應氣體等離子體化；

激發部，該激發部在所述反應氣體供給部將所述反應氣體供給到所述等離子體生成區域之前，向所述等離子體生成區域供給高頻電力；以及

控制部，該控制部具有以如下方式控制所述反應氣體供給部和所述激發部的結構：使供給所述反應氣體之前的所述等離子體生成區域的壓力為第一壓力，進行向所述襯底供給原料氣體的處理，以及在開始向所述等離子體生成區域供給高頻電力后，向所述等離子體生成區域供給所述反應氣體，將所述等離子體生成區域內從所述第一壓力調壓至比所述第一壓力低的第二壓力從而生成所述反應氣體的等離子體的處理。

8.根據權利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，

具有對所述處理室進行排氣的排氣部，

所述控制部具有以如下方式控制所述反應氣體供給部和所述排氣部的結構：在開始向所述等離子體生成區域供給高頻電力后，向所述等離子體生成區域供給所述反應氣體，將所述等離子體生成區域內從所述第一壓力調壓至所述第二壓力。

9.根據權利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，

還包含向所述處理室供給吹掃氣體的吹掃氣體供給部，所述控制部具有以如下方式控制所述反應氣體供給部和所述吹掃氣體供給部的結構：在供給所述反應氣體之前，進行供給比所述反應氣體的流量多的吹掃氣體的工序。

10.根據權利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述激發部和所述反應氣體供給部的結構：在生成所述等離子體的工序后，在維持所述高頻電力的供給的狀態下進行使所述反應氣體從等離子體狀態返回氣體狀態的工序。

11.根據權利要求10所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述激發部和所述反應氣體供給部的結構：交替地進行生成所述等離子體的工序和所述返回氣體狀態的工序。

12.根據權利要求8所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述反應氣體供給部和所述排氣部中的任一方或雙方的結構：使所述第一壓力成為使所述反應氣體保持等離子體OFF狀態的壓力。

13.根據權利要求8所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述反應氣體供給部和所述排氣部中的任一方或雙方的結構：使所述第二壓力成為使所述反應氣體等離子體化的壓力。