[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410466295.1 | 申請日: | 2014-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN104517793B | 公開(公告)日: | 2017-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 豐田一行;廣地志有;山本哲夫;盛滿和廣;高崎唯史 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日立國際電氣 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人: | 楊宏軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 襯底 處理 裝置 以及 記錄 介質(zhì) | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征在于,具有以下工序:
向襯底供給原料氣體的工序;
向等離子體生成區(qū)域供給反應(yīng)氣體的工序;
向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力的工序;以及
使供給所述反應(yīng)氣體之前的所述等離子體生成區(qū)域內(nèi)的壓力為第一壓力,開始向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力后,向所述等離子體生成區(qū)域供給所述反應(yīng)氣體,將所述等離子體生成區(qū)域內(nèi)從所述第一壓力調(diào)壓至比所述第一壓力低的第二壓力來生成所述反應(yīng)氣體的等離子體的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征在于,
在供給所述反應(yīng)氣體之前,具有供給比所述反應(yīng)氣體的流量多的吹掃氣體的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征在于,
在生成所述等離子體的工序后,具有使所述反應(yīng)氣體從等離子體狀態(tài)返回氣體狀態(tài)的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征在于,
交替地進(jìn)行生成所述等離子體的工序和所述返回氣體狀態(tài)的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征在于,
所述第一壓力是使所述反應(yīng)氣體保持等離子體OFF狀態(tài)的壓力。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征在于,
所述第二壓力是使所述反應(yīng)氣體等離子體化的壓力。
7.一種襯底處理裝置,其特征在于,具有:
處理室,該處理室收納襯底;
原料氣體供給部,該原料氣體供給部向所述襯底供給原料氣體;
反應(yīng)氣體供給部,該反應(yīng)氣體供給部向所述襯底供給反應(yīng)氣體;
等離子體生成區(qū)域,該等離子體生成區(qū)域被供給所述反應(yīng)氣體,并使所述反應(yīng)氣體等離子體化;
激發(fā)部,該激發(fā)部在所述反應(yīng)氣體供給部將所述反應(yīng)氣體供給到所述等離子體生成區(qū)域之前,向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力;以及
控制部,該控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述激發(fā)部的結(jié)構(gòu):使供給所述反應(yīng)氣體之前的所述等離子體生成區(qū)域的壓力為第一壓力,進(jìn)行向所述襯底供給原料氣體的處理,以及在開始向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力后,向所述等離子體生成區(qū)域供給所述反應(yīng)氣體,將所述等離子體生成區(qū)域內(nèi)從所述第一壓力調(diào)壓至比所述第一壓力低的第二壓力從而生成所述反應(yīng)氣體的等離子體的處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置,其特征在于,
具有對所述處理室進(jìn)行排氣的排氣部,
所述控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述排氣部的結(jié)構(gòu):在開始向所述等離子體生成區(qū)域供給高頻電力后,向所述等離子體生成區(qū)域供給所述反應(yīng)氣體,將所述等離子體生成區(qū)域內(nèi)從所述第一壓力調(diào)壓至所述第二壓力。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置,其特征在于,
還包含向所述處理室供給吹掃氣體的吹掃氣體供給部,所述控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述吹掃氣體供給部的結(jié)構(gòu):在供給所述反應(yīng)氣體之前,進(jìn)行供給比所述反應(yīng)氣體的流量多的吹掃氣體的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述控制部具有以如下方式控制所述激發(fā)部和所述反應(yīng)氣體供給部的結(jié)構(gòu):在生成所述等離子體的工序后,在維持所述高頻電力的供給的狀態(tài)下進(jìn)行使所述反應(yīng)氣體從等離子體狀態(tài)返回氣體狀態(tài)的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述控制部具有以如下方式控制所述激發(fā)部和所述反應(yīng)氣體供給部的結(jié)構(gòu):交替地進(jìn)行生成所述等離子體的工序和所述返回氣體狀態(tài)的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述排氣部中的任一方或雙方的結(jié)構(gòu):使所述第一壓力成為使所述反應(yīng)氣體保持等離子體OFF狀態(tài)的壓力。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述控制部具有以如下方式控制所述反應(yīng)氣體供給部和所述排氣部中的任一方或雙方的結(jié)構(gòu):使所述第二壓力成為使所述反應(yīng)氣體等離子體化的壓力。
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