[發明專利]一種高保真音頻前置功率放大器

在審

• 申請號: 201410465605.8
• 申請日: 2014-09-12
• 公開（公告）號: CN105471399A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 嚴國輝
• 申請（專利權）人: 嚴國輝
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F1/34;H03F1/32;H03F1/26
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 溫旭

1.一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：其包括依次連接的第一共源共柵放大器、第一PMOSFET管、第一源極跟隨器、第二共源共柵放大器、第二PMOSFET管、第二源極跟隨器、第三共源共柵放大器、第三源極跟隨器；其中，

第一共源共柵放大器連接信號輸入端，對輸入的信號進行第一級放大；

第一PMOSFET管，其柵極連接第一共源共柵放大器的信號輸出端，對輸入信號進行第二級放大；

第一源極跟隨器，連接第一PMOSFET管的漏極，隔離第一PMOSFET管和第二共源共柵放大器；

第二共源共柵放大器，連接第一源極跟隨器的信號輸出端，對輸入信號進行第三級放大；

第二PMOSFET管，其柵極連接第二共源共柵放大器的信號輸出端，對輸入信號進行第四級放大；

第二源極跟隨器，連接第二PMOSFET管的漏極，用于隔離第二PMOSFET管和第三共源共柵放大器；

第三共源共柵放大器，連接第二源極跟隨器的信號輸出端，對輸入信號進行第五級放大；

第三源極跟隨器，為所述前置功率放大器的信號輸出端。

2.如權利要求1所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：所述第一共源共柵放大器包括第一晶體管、第二晶體管和第一反饋電阻，其中，第二晶體管的柵極為信號輸入端，第二晶體管的漏極與第一晶體管的源極相連，第二晶體管的源極通過第一反饋電阻接地，第一晶體管的漏極為信號輸出端。

3.如權利要求2所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：還包括第二反饋電阻，所述第一PMOSFET管的柵極與第一晶體管的漏極連接，且第一PMOSFET管的漏極通過第二反饋電阻接地。

4.如權利要求3所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：

所述第一源極跟隨器包括第四晶體管和第三反饋電阻，所述第四晶體管的柵極與第一PMOSFET管的漏極相連，第四晶體管的源極通過第三反饋電阻接地，所述第四晶體管的源極為信號輸出端。

5.如權利要求4所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：所述第二共源共柵放大器包括第五晶體管、第六晶體管和第四反饋電阻，且第五晶體管的柵極與第四晶體管的源極相連，第五晶體管的漏極與第六晶體管的源極相連，第五晶體管的源極通過第四反饋電阻接地，且第六晶體管的漏極為信號輸出端。

6.如權利要求5所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：還包括第五反饋電阻，所述第二PMOSFET管的柵極與第六晶體管的漏極連接，且第二PMOSFET管的漏極通過第五反饋電阻接地。

7.如權利要求6所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：

所述第二源極跟隨器包括第八晶體管和第六反饋電阻，所述第八晶體管的柵極與第二PMOSFET管的漏極相連，第八晶體管的源極通過第六反饋電阻接地，所述第八晶體管的源極為信號輸出端。

8.如權利要求7所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：所述第三共源共柵放大器包括第九晶體管、第十晶體管和第七反饋電阻，且第九晶體管的柵極與第八晶體管的源極相連，第九晶體管的漏極與第十晶體管源極相連，第九晶體管的源極通過第七反饋電阻接地，且第十晶體管的漏極為信號輸出端。

9.如權利要求8中所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：

所述第三源極跟隨器包括第十一晶體管和第八反饋電阻，所述第十一晶體管的柵極與第十晶體管的漏極相連，第十一晶體管的源極通過第八反饋電阻接地，所述第十一晶體管的源極為所述前置功率放大器的信號輸出端。

10.如權利要求9所述的一種高保真音頻前置功率放大器，其特征在于：所述第一晶體管、第二晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第八晶體管、第九晶體管、第十晶體管和第十一晶體管均為N型BJT管或N型MOS管。