[發(fā)明專利]硅氧化膜的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410465415.6
• 申請日: 2014-09-12
• 公開（公告）號: CN104451598A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田村辰也;熊谷武司
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;H01L21/67;H01L21/316
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術(shù)領(lǐng)域

本申請基于2013年9月13日向日本專利局提出申請的日本專利申請2013－191060號要求優(yōu)先權(quán)，在此引用日本專利申請2013－191060號的全部內(nèi)容。本發(fā)明涉及硅氧化膜的制造方法。

背景技術(shù)

作為半導(dǎo)體集成電路(IC，Integrated?circuit)等半導(dǎo)體裝置的絕緣膜，廣泛使用了硅氧化膜，以往以來研究有在晶圓(基板)表面形成硅氧化膜的方法。

例如日本特開2007－42884號公報中公開了如下硅氧化膜的成膜方法：使用立式的圓筒狀的反應(yīng)容器，向該反應(yīng)容器內(nèi)輸入已保持有多張半導(dǎo)體晶圓的晶圓舟皿，使反應(yīng)容器內(nèi)成為真空，并在加熱后同時供給TEOS氣體、氧氣、氫氣。

然而，根據(jù)日本特開2007－42884號公報所公開的硅氧化膜的成膜方法，在自反應(yīng)容器下部供給的TEOS等反應(yīng)氣體移動至設(shè)于反應(yīng)容器上部的排氣口的期間內(nèi)，反應(yīng)氣體通過保持于晶圓舟皿的晶圓之間并供給至晶圓表面。即，供給至晶圓表面的反應(yīng)氣體平行于晶圓表面地流動，并自晶圓的端部側(cè)進入、通過中央部而自其他端部側(cè)流出。因此，雖然在成膜時使晶圓舟皿旋轉(zhuǎn)，但有時容易在晶圓的端部形成硅氧化膜，使在晶圓的端部與中央部形成的硅氧化膜的膜厚變得不均勻。

特別是，近年來，也有時工藝規(guī)則(半導(dǎo)體電路的布線的寬度)微細化，要求在晶圓上形成膜厚均勻的絕緣膜。而且，針對在表面形成有開口部的尺寸較小且深度較深的凹部的晶圓成膜硅氧化膜的情況也增加，在以往的方法中，有時難以在晶圓表面形成膜厚均勻的膜。因此，謀求無論晶圓表面的形狀如何都能夠形成膜厚均勻的絕緣膜的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)所具有的問題，目的在于提供一種能夠在基板表面形成膜厚均勻的硅氧化膜的硅氧化膜的制造方法。

為了解決上述課題，本發(fā)明為一種硅氧化膜的制造方法，該硅氧化膜的制造方法在成膜裝置中進行，該成膜裝置包括：

旋轉(zhuǎn)臺，其以能夠旋轉(zhuǎn)的方式容納于真空容器內(nèi)，并在上表面具有供多個基板載置的基板載置部；

第1氣體供給部，其配置于在上述旋轉(zhuǎn)臺的上述上表面的上方劃分出的第1處理區(qū)域，并用于朝向上述旋轉(zhuǎn)臺的上述上表面供給第1氣體；以及

第2氣體供給部，其配置于沿上述旋轉(zhuǎn)臺的周向與上述第1處理區(qū)域分開的第2處理區(qū)域，并用于朝向上述旋轉(zhuǎn)臺的上述上表面供給第2氣體。

在該制造方法中，自上述第1氣體供給部連續(xù)地供給作為上述第1氣體的含硅氣體，

自上述第2氣體供給部連續(xù)地供給作為上述第2氣體的氫氣和氧化氣體，

并且，一邊使上述旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，一邊在上述第1處理區(qū)域中使上述第1氣體吸附于載置在上述旋轉(zhuǎn)臺上的基板，

一邊使上述旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，一邊在上述第2處理區(qū)域中使吸附于上述基板的表面的上述第1氣體和供給到上述第2處理區(qū)域的上述第2氣體反應(yīng)。

附圖說明

圖1是表示用于實施本發(fā)明的實施方式的硅氧化膜的制造方法的、優(yōu)選的成膜裝置的剖視圖。

圖2是表示圖1的成膜裝置的真空容器內(nèi)的構(gòu)造的立體圖。

圖3是表示圖1的成膜裝置的真空容器內(nèi)的構(gòu)造的概略俯視圖。

圖4A以及圖4B是圖1的成膜裝置的氣體噴嘴以及噴嘴蓋的構(gòu)成圖。

圖5是圖1的成膜裝置的局部剖視圖。

圖6是圖1的成膜裝置的其他的局部剖視圖。

圖7是表示本發(fā)明的實施例、比較例中所成膜的硅氧化膜的膜收縮率的圖表。

具體實施方式

以下，參照添附的附圖對本發(fā)明的非限定的例示的實施方式進行說明。在添附的全部附圖中，對相同或者對應(yīng)的構(gòu)件或者部件標(biāo)注相同或者對應(yīng)的參照附圖標(biāo)記并省略重復(fù)的說明。另外，附圖并非以示出構(gòu)件或部件之間的相互對比為目的，因此，具體的尺寸應(yīng)該由本領(lǐng)域技術(shù)人員參照以下非限定的實施方式來確定。

(成膜裝置)

首先，使用附圖說明用于實施本發(fā)明的本實施方式的硅氧化膜的制造方法的優(yōu)選的成膜裝置。

圖1是表示用于實施本實施方式的硅氧化膜的制造方法的、優(yōu)選的成膜裝置的一個例子的剖視圖，圖2是表示用于實施本實施方式的硅氧化膜的制造方法的、優(yōu)選的成膜裝置的一個例子的立體圖。另外，圖3是表示用于實施本實施方式的硅氧化膜的制造方法的、優(yōu)選的成膜裝置的一個例子的概略俯視圖。