[發(fā)明專利]用于制造半導(dǎo)體器件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410465189.1 | 申請日: | 2014-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN104465514A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中川和之;阿部俊一 | 申請(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;B23K26/00;B23K26/38 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 半導(dǎo)體器件 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括以下步驟:
(a)提供半導(dǎo)體晶片,所述半導(dǎo)體晶片具有第一芯片區(qū)、在平面圖中相鄰于所述第一芯片區(qū)布置的第二芯片區(qū)、在平面圖中布置于所述第一芯片區(qū)與所述第二芯片區(qū)之間的劃片區(qū)、以及在所述劃片區(qū)內(nèi)布置成多個列的且沿著所述劃片區(qū)的延伸方向布置的多個金屬圖形;以及
(b)在所述半導(dǎo)體晶片的所述劃片區(qū)中沿著所述劃片區(qū)的所述延伸方向切割所述半導(dǎo)體晶片,
其中所述金屬圖形具有布置于與所述第一芯片區(qū)最接近的列內(nèi)的第一列圖形以及布置于與所述第一芯片區(qū)的距離較所述第一列圖形遠(yuǎn)的列內(nèi)的第二列圖形,
其中所述第一芯片區(qū)與所述第一列圖形之間的距離小于所述第一列圖形與所述第二列圖形之間的距離,并且小于所述第二芯片區(qū)與所述第二列圖形之間的距離,并且
其中在所述步驟(b)中,所述第一列圖形沒有被去除,但是所述第二列圖形被去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中所述步驟(b)包括沿著所述劃片區(qū)的所述延伸方向傳送劃片刀,沒有使所述劃片刀與所述第一列圖形接觸,并由此加工和切割所述半導(dǎo)體晶片的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中所述步驟(b)包括在以所述劃片刀加工所述半導(dǎo)體晶片之前以激光照射所述劃片區(qū)以去除所述第二列圖形的步驟,并且
其中所述第二列圖形以所述激光來照射,而防止所述第一列圖形以所述激光來照射。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中所述半導(dǎo)體晶片具有半導(dǎo)體基板以及相繼堆疊于所述半導(dǎo)體基板的主表面之上的多個布線層,并且
其中在所述步驟(b)中,所述第二列圖形通過以所述激光照射來去除以使所述半導(dǎo)體基板的所述主表面露出。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中在所述步驟(b)中,所述劃片刀被插入通過以所述激光照射形成的凹槽之內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中所述第一芯片區(qū)和所述第二芯片區(qū)中的每一個在其各自的外圍部分具有多個電極焊盤和金屬部件,以所述金屬部件連續(xù)地包圍著所述電極焊盤布置于其內(nèi)的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中所述金屬圖形還具有布置于所述第二列圖形與所述第二芯片區(qū)之間的第三列圖形,
其中所述第二芯片區(qū)與所述第三列圖形之間的距離小于所述第三列圖形與所述第二列圖形之間的距離,并且小于所述第一芯片區(qū)與所述第二列圖形之間的距離,并且
其中在所述步驟(b)中,所述第三列圖形保留了下來,沒有被去除。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中在所述金屬圖形當(dāng)中,所述第一列圖形以具有樹脂的絕緣膜覆蓋。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中所述第一芯片區(qū)和所述第二芯片區(qū)各自具有電極焊盤、與所述電極焊盤連接的再分布層、用以覆蓋所述再分布層的絕緣膜、以及要與所述再分布層的一部分連接于形成于所述絕緣膜內(nèi)的開口部分處的突出電極,
其中所述突出電極和所述再分布層的一部分經(jīng)由通過電鍍方法形成的金膜相互連接,并且
其中所述金屬圖形各自以所述絕緣膜覆蓋。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中所述步驟(a)包括使接觸端子與所述金屬圖形接觸并由此進(jìn)行測試的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,還包括以下步驟:
(c)提供具有芯片安裝表面的布線基板,并且將在所述步驟(b)中獲得的所述半導(dǎo)體芯片安裝于所述布線基板的所述芯片安裝表面之上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造半導(dǎo)體器件的方法,
其中所述半導(dǎo)體芯片具有表面、形成于所述表面之上的多個突出電極、以及位于所述表面的相對側(cè)上的背表面,并且
其中在所述步驟(c)中,所述半導(dǎo)體芯片和所述布線基板經(jīng)由所述突出電極相互電連接,同時使所述半導(dǎo)體芯片的所述表面面對所述布線基板的所述芯片安裝表面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





