[發明專利]方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法有效
| 申請號: | 201410464514.2 | 申請日: | 2014-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN104517805B | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發明(設計)人: | 蔡宜興 | 申請(專利權)人: | 蔡宜興 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 方形 扁平 引腳 封裝 晶片 方法 | ||
1.一種方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法,其特征在于,包含:透過一顯微攝影裝置拍攝取得一基板的影像,該基板中封裝有復數個晶片,該晶片分別電連接復數個引線框架,該引線框架形成于該基板的一表面,且各該引線框架之間具有一膠體;利用一運算單元加載該基板的影像,并據以執行影像分析運算定位該基板中所封裝的晶片的位置;及該運算單元將各該晶片與一樣本影像進行比對,以偵測各該晶片所電性連接的引線框架受到該膠體的殘膠所覆蓋的部分,判定為該膠體需要燒蝕的冗余區塊,依據該冗余區塊設定一激光產生器的激光軌跡,該激光產生器為振鏡式激光機臺,由該激光產生器燒蝕去除該膠體的冗余區塊;
其中,該激光產生器利用激光光束燒蝕去除該膠體的冗余區塊后,再次拍攝該基板的影像并由該運算單元載入,據以將完成激光燒蝕的各該晶片與該樣本影像再次進行比對,以檢驗該膠體的殘膠經激光燒蝕后是否完全清除。
2.如權利要求1所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法,其特征在于,取封裝完成的一晶片做為樣本,以該激光產生器燒蝕去除覆蓋于該晶片所電性連接的引線框架上的殘膠,并且透過該顯微攝影裝置拍攝經由該激光產生器燒蝕的晶片的影像作為該樣本影像。
3.如權利要求1所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法,其特征在于,該晶片結合于一散熱座,該散熱座形成于該基板的表面,該運算單元將各該晶片與該樣本影像進行比對時,另偵測該散熱座受到該膠體的殘膠所覆蓋的部分,同樣判定為該膠體需要燒蝕的冗余區塊。
4.如權利要求3所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法,其特征在于,取封裝于該基板的其中一晶片做為樣本,以該激光產生器一并燒蝕去除覆蓋于該晶片所電性連接的引線框架上的殘膠,以及覆蓋于該晶片所結合的散熱座上的殘膠,并且透過該顯微攝影裝置拍攝經由該激光產生器燒蝕的晶片的影像作為該樣本影像。
5.如權利要求1所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法,其特征在于,若該晶片的影像與該樣本影像的差異程度在一容許范圍內,即判定該基板的殘膠已完全清除;反之,若該晶片的影像與該樣本影像的差異超出該容許范圍,即判定該晶片必需進行二次除膠加工,或者直接視為不良品,將該晶片及其所在位置的基板一并舍棄。
6.如權利要求3或4所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法,其特征在于,運算單元是執行影像分析以定位各該散熱座的一中心點,以作為該基板中所封裝的晶片的位置。
7.如權利要求1、2、3、4或5所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法,其特征在于,該激光產生器是采用摻釹釔鋁石榴石激光,且該激光產生器所產生的激光光束的功率及波長分別為16~24瓦特及851~1277納米。
8.如權利要求1、2、3、4或5所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法,其特征在于,該樣本影像為經由軟件繪制的一模板影像。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





