[發(fā)明專(zhuān)利]一種電感耦合等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410461134.3
• 申請(qǐng)日: 2014-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105470087B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝小兵;黃智林;萬(wàn)磊;王俊;劉身健;梁潔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海智信專(zhuān)利代理有限公司31002
• 代理人: 王潔

1.一種電感耦合等離子體處理裝置，包括：

等離子體處理腔室，腔室頂部包括一個(gè)絕緣材料窗，一個(gè)加熱線圈設(shè)置在絕緣材料窗上表面，所述加熱線圈連接到一個(gè)加熱電源；

一射頻線圈設(shè)置在所述加熱線圈上方，所述射頻線圈連接到一個(gè)射頻電源；

其特征在于所述加熱線圈包括多個(gè)加熱環(huán)路，多個(gè)加熱環(huán)路互相串聯(lián)構(gòu)成加熱線圈,所述射頻線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)穿過(guò)所述多個(gè)加熱環(huán)路，使得不同加熱環(huán)路產(chǎn)生的感應(yīng)電流互相抵消；

每個(gè)加熱環(huán)路內(nèi)包括位于第一側(cè)的第一加熱絲和位于第二側(cè)的第二加熱絲，每個(gè)加熱環(huán)路中的第一加熱絲與相鄰加熱環(huán)路的第二加熱絲電連接；

所述多個(gè)加熱環(huán)路互相串聯(lián)構(gòu)成環(huán)形的加熱線圈，每個(gè)加熱環(huán)路的第一加熱絲位于環(huán)形內(nèi)側(cè)，第二加熱絲位于環(huán)形外側(cè)；

所述多個(gè)加熱環(huán)路包括一個(gè)第一加熱環(huán)路和一個(gè)第二加熱環(huán)路，一個(gè)第一交叉加熱絲連接在第一加熱環(huán)路的第一加熱絲和第二加熱環(huán)路的第二加熱絲之間，一個(gè)第二交叉加熱絲連接在第一加熱環(huán)路的第二加熱絲和第二加熱環(huán)路的第一加熱絲之間；所述第一交叉加熱絲與所述第二交叉加熱絲之間未電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一交叉加熱絲疊在第二交叉加熱絲上方，且所述第一交叉加熱絲與第二交叉加熱絲之間還包括一層絕緣材料層，減少?gòu)牡谝唤徊婕訜峤z傳導(dǎo)到所述絕緣材料窗上的熱量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一和第二交叉加熱絲由第一電阻材料制成，第一加熱絲和第二加熱絲由第二電阻材料制成，其中第一電阻材料的電阻率小于第二電阻材料的電阻率。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于，絕緣材料層由特氟龍或者Capton材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一交叉加熱絲下表面高度在第二交叉加熱絲的上表面上方5mm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一加熱絲、第二加熱絲和第一交叉加熱絲、第二交叉加熱絲由相同電阻材料制成，第一加熱絲、第二加熱絲具有第一橫截面，第一交叉加熱絲和第二交叉加熱絲具有第二橫截面，其中第二橫截面面積大于所述第一橫截面面積。