[發(fā)明專利]電力轉(zhuǎn)換裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410460826.6
• 申請(qǐng)日: 2014-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN104467400B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高尾和人;四戶孝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H02M1/44
• 分類號(hào): H02M1/44
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002
• 代理人: 戚宏梅,楊謙

1.一種電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

該電力轉(zhuǎn)換裝置通過(guò)具有電源、第1寄生電感、第1二極管、第2寄生電感、第2二極管、第3寄生電感、開關(guān)元件、柵極電路及負(fù)載的等效電路來(lái)表示，所述第1二極管和所述第2寄生電感構(gòu)成第1串聯(lián)支路，所述第2二極管和所述第3寄生電感構(gòu)成第2串聯(lián)支路，所述第1串聯(lián)支路與所述第2串聯(lián)支路并聯(lián)連接；

在所述等效電路中，由所述電源、所述第1寄生電感、所述第1二極管、所述第2寄生電感和所述開關(guān)元件構(gòu)成第1電路環(huán)路，

在所述等效電路中，由所述電源、所述第1寄生電感、所述第2二極管、所述第3寄生電感和所述開關(guān)元件構(gòu)成第2電路環(huán)路，

將所述第1電路環(huán)路的第1寄生電感和第2寄生電感與第1二極管的結(jié)電容之間的LC共振頻率設(shè)為f1，

將所述第2電路環(huán)路的第1寄生電感和第3寄生電感與第2二極管的結(jié)電容之間的LC共振頻率設(shè)為f2，

所述f1和f2為不同的頻率，

所述第1二極管的結(jié)電容與所述第2二極管的結(jié)電容為不同值。

2.如權(quán)利要求1所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

在所述等效電路中，還具有第3二極管和第4寄生電感，所述第3二極管和所述第4寄生電感構(gòu)成第3串聯(lián)支路，所述第3串聯(lián)支路與所述第1串聯(lián)支路并聯(lián)連接，

在所述等效電路中，由所述電源、所述第1寄生電感、所述第3二極管、所述第4寄生電感和所述開關(guān)元件構(gòu)成第3電路環(huán)路，

將所述第3電路環(huán)路的第1寄生電感和第4寄生電感與第3二極管的結(jié)電容之間的LC共振頻率設(shè)為f3，

所述f3是與所述f1及f2不同的頻率。

3.如權(quán)利要求2所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述第1二極管的結(jié)電容、所述第2二極管的結(jié)電容、所述第3二極管的結(jié)電容全部為不同值。

4.如權(quán)利要求1所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述第2寄生電感與所述第3寄生電感為不同值。

5.如權(quán)利要求2所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述第2寄生電感、所述第3寄生電感、所述第4寄生電感全部為不同值。

6.如權(quán)利要求1所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述第1電路環(huán)路的LC共振頻率為所述第2電路環(huán)路的LC共振頻率的2n倍，其中，n為1以上的整數(shù)。

7.如權(quán)利要求2所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述第1電路環(huán)路、所述第2電路環(huán)路及所述第3電路環(huán)路中，任意一個(gè)電路環(huán)路的LC共振頻率為剩余的電路環(huán)路中的任意電路環(huán)路的LC共振頻率的2n倍，其中，n為1以上的整數(shù)。

8.如權(quán)利要求1所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述第1電路環(huán)路和所述第2電路環(huán)路中，任意1個(gè)電路環(huán)路的寄生電感產(chǎn)生的感應(yīng)電壓為電力轉(zhuǎn)換裝置的輸入直流電壓以下。

9.如權(quán)利要求1所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述第1二極管和所述第2二極管，在實(shí)際電路中將多個(gè)肖特基勢(shì)壘二極管芯片收納于一個(gè)封裝件。

10.如權(quán)利要求9所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述開關(guān)元件為MOSFET或IGBT，

在實(shí)際電路中，將所述MOSFET或IGBT與所述肖特基勢(shì)壘二極管芯片收納于同一封裝件。

11.如權(quán)利要求9所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述肖特基勢(shì)壘二極管芯片使用了SiC或氮化物半導(dǎo)體或者金剛石半導(dǎo)體。

12.如權(quán)利要求1所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述電力轉(zhuǎn)換裝置的輸入電壓為直流且電力轉(zhuǎn)換后的輸出電壓為直流。

13.如權(quán)利要求1所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述電力轉(zhuǎn)換裝置的輸入電壓為交流且電力轉(zhuǎn)換后的輸出電壓為直流。

14.如權(quán)利要求1所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述電力轉(zhuǎn)換裝置的輸入電壓為直流且電力轉(zhuǎn)換后的輸出電壓為交流。

15.如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，

所述開關(guān)元件的開關(guān)頻率為10kHz以上1000kHz以下。