[發(fā)明專利]一種一維II-VI族半導體核殼納米結(jié)構(gòu)的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410460652.3 | 申請日： | 2014-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN105883903A | 公開（公告）日： | 2016-08-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 代國章;茍廣洋 | 申請（專利權(quán)）人： | 中南大學 |
| 主分類號： | C01G11/02 | 分類號： | C01G11/02;C01B19/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 410083 *** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ii vi 半導體 納米 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
【說明書】：
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