[發明專利]用于操作電容測量電路的方法有效
| 申請號: | 201410460579.X | 申請日: | 2009-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN104280429B | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發明(設計)人: | 瑞托·格里克;P·奧特;R·喬斯 | 申請(專利權)人: | 烏斯特技術股份公司 |
| 主分類號: | G01N27/22 | 分類號: | G01N27/22 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁紀鐵 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 操作 電容 測量 電路 方法 | ||
1.一種操作電容測量電路(1)的方法,所述測量電路包括待測電容器配置(2,21)、至少一個具有可變電容的部件(3,31,32),該至少一個具有可變電容的部件(3,31,32)的電容能夠通過至少一個電控制信號(71,72)來改變,和用于輸出所述測量電路(1)的輸出信號的輸出線(58,59),其特征在于:
所述待測電容器配置(2,21)維持不變,且所述電控制信號與所述測量電路(1)的輸出信號無關。
2.根據權利要求1所述的操作電容測量電路(1)的方法,其中所述電控制信號是一種暫時快速變化的、合成產生的和/或先前儲存的信號。
3.根據權利要求1所述的操作電容測量電路(1)的方法,其中所述至少一個具有可變電容的部件(3,31,32)選自下組中的部件:變容二極管(31,32)、除變容二極管之外的其他二極管、多個相互并聯且可與各自的電控制信號連接和斷開的平衡電容器(33)。
4.根據權利要求3所述的操作電容測量電路(1)的方法,其中所述部件選自下組中:反向偏置晶體管、金屬氧化物半導體場效應晶體管、微機電電容器、能夠由壓電元件改變電極距離的電容器。
5.根據權利要求1所述的操作電容測量電路(1)的方法,其中所述測量電路(1)被配置成至少具有兩個電橋臂(11至14)的電容測量電橋,其中一個電橋臂(11)是包括所述待測電容器配置(21)的測量臂,且至少另一個電橋臂(12,14)包括所述至少一個具有可變電容的部件(31,32)。
6.根據權利要求5所述的操作電容測量電路(1)的方法,其中所述電容測量電橋包括四個電橋臂(11至14)。
7.根據權利要求1所述的操作電容測量電路(1)的方法,其中所述測量電路(1)包括兩個具有可變電容的部件(31,32),所述兩個具有可變電容的部件的電容能夠由至少一個電控制信號(71,72)改變。
8.根據權利要求7所述的操作電容測量電路(1)的方法,其中通過基本上相互反對稱的方式改變所述兩個具有可變電容的部件(31,32)的電容。
9.一種在對移動的長條形測試材料(9)進行電容性檢查的設備中操作電容測量電路(1)的方法,
該設備包括具有用于容納所述測試材料(9)的待測電容器配置(21)的電容測量電路(1),至少一個具有可變電容的部件(3,31,32),其電容能夠通過至少一個電控制信號(71,72)來改變,其中,所述至少一個具有可變電容的部件(3,31,32)的可變電容被所述至少一個電控制信號(71,72)所改變,和用于輸出所述電容測量電路(1)的輸出信號的輸出線(58,59),其特征在于:
所述待測電容器配置(21)維持不變,且所述電控制信號與所述電容測量電路(1)的輸出信號無關。
10.根據權利要求9所述的方法,其中所述設備還包括用于向所述電容測量電路(1)施加交變電壓信號以在所述待測電容器配置(21)中產生交變電場的裝置(4)、以及在所述待測電容器配置(21)中用于容納所述測試材料(9)的通孔,該通孔能經受所述交變電場。
11.根據權利要求9所述的方法,其中所述電容測量電路(1)被配置成至少具有兩個電橋臂(11至14)的電容測量電橋,其中一個電橋臂(11)包括所述待測電容器配置(21),其中另一個電橋臂(13)包括參考電容器(22),且所述電橋臂中的至少一個(12,14)包括所述至少一個具有可變電容的部件(31,32)。
12.根據權利要求1或9所述的方法,應用于使用所述電容測量電路(1)進行模擬測量、測試所述電容測量電路(1)或測試與所述電容測量電路(1)串聯的部件。
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