[發明專利]多層電子元件

有效

• 申請號: 201410458251.4
• 申請日: 2014-09-10
• 公開（公告）號: CN105280335B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 金明基;金虎潤;崔裕真;金益燮;千旼俓
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01F17/04
• 分類號: H01F17/04;H01F37/00;H01F27/24;H01F1/047;H01F1/08
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司11283
• 代理人: 李婉婉,金迪

1.一種多層電子元件，該多層電子元件包括：

具有在厚度方向上彼此相對的第一主表面和第二主表面、在寬度方向上彼此相對的第一側表面和第二側表面、以及在長度方向上彼此相對的第一端表面和第二端表面且包括多個金屬磁性層的磁性體；以及

設置在磁性體中的內部線圈部分，

其中，所述金屬磁性層包括金屬磁性顆粒和形成在所述金屬磁性顆粒的表面上的金屬氧化物膜，以及

當從磁性體的第一主表面和第二主表面、第一側表面和第二側表面、以及第一端表面和第二端表面分別在向內的方向上到與磁性體的厚度的20％相對應的點的磁性體的部分為周緣部分，且周緣部分的內部邊界內的磁性體的部分為磁性體的中心部分時，所述周緣部分覆蓋在所述中心部分的全部表面上，在包含于周緣部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度為200nm至300nm，在包含于中心部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度為50nm至200nm；在包含于周緣部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度比在包含于中心部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度要厚。

2.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述金屬磁性層包括填充在所述金屬磁性顆粒之間的間隙的聚合物樹脂，在所述金屬磁性顆粒上形成有所述金屬氧化物膜。

3.根據權利要求2所述的多層電子元件，其中，所述聚合物樹脂占所述金屬磁性層的橫截面面積的10％至30％。

4.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，設置在所述金屬磁性顆粒的表面上的相鄰的金屬氧化物膜彼此相結合。

5.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述金屬磁性顆粒通過所述金屬氧化物膜而彼此相分離。

6.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述金屬磁性顆粒由含有選自由Fe、Si、Cr、Al和Ni組成的組中的至少一種的合金形成。

7.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述金屬磁性顆粒的最大粒子大小為15μm或更小。

8.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述金屬磁性顆粒的粒子大小分布D₅₀為3μm至5μm。

9.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述金屬磁性顆粒間的間隙為5μm或更小。

10.一種多層電子元件，該多層電子元件包括：

具有在厚度方向上彼此相對的第一主表面和第二主表面、在寬度方向上彼此相對的第一側表面和第二側表面、以及在長度方向上彼此相對的第一端表面和第二端表面且包括多個金屬磁性層的磁性體；以及

設置在磁性體中的內部線圈部分，

其中，所述金屬磁性層包括金屬磁性顆粒和設置在所述金屬磁性顆粒的表面上的金屬氧化物膜，并且

當從磁性體的第一主表面和第二主表面、第一側表面和第二側表面、以及第一端表面和第二端表面分別在向內的方向上到與磁性體的厚度的20％相對應的點的磁性體的部分為周緣部分，且周緣部分的內部邊界內的磁性體的部分為磁性體的中心部分時，所述周緣部分覆蓋在所述中心部分的全部表面上，在包含于周緣部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度比在包含于中心部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度要厚。

11.根據權利要求10所述的多層電子元件，其中，在包含于周緣部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度比在包含于中心部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度要厚40nm至200nm。

12.根據權利要求10所述的多層電子元件，其中，在包含于周緣部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度為200nm至300nm。

13.根據權利要求10所述的多層電子元件，其中，在包含于中心部分中的所述金屬磁性顆粒的表面上形成的所述金屬氧化物膜的平均厚度為50nm至200nm。

14.根據權利要求10所述的多層電子元件，其中，所述金屬磁性層包括填充在所述金屬磁性顆粒之間的間隙的聚合物樹脂，在所述金屬磁性顆粒上形成有所述金屬氧化物膜。