[發明專利]一種石墨烯有序多孔膜的制備方法有效
| 申請號: | 201410457003.8 | 申請日: | 2014-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN104229782A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 高超;劉崢;黃鐵騎;孫海燕;夏芝香 | 申請(專利權)人: | 浙江碳谷上希材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C01B31/04 | 分類號: | C01B31/04;H01G11/84 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 邱啟旺 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 有序 多孔 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及石墨烯膜的制備方法,尤其涉及一種石墨烯有序多孔膜的制備方法。
背景技術
2010年,英國曼徹斯特大學的兩位教授Andre?Geim和Konstantin?Novoselov因為首次成功分離出穩定的石墨烯獲得諾貝爾物理學獎,掀起了全世界對石墨烯研究的熱潮。石墨烯(Graphene)是一種單分子層二維晶體,具有已知材料最高的強度(Science,?2008,?321,?385-388)以及優異的導電性和導熱性,是目前最理想的二維納米材料。宏觀組裝的石墨烯是納米級石墨烯的主要應用形式,可以將二維納米級的石墨烯組裝成一維的纖維、二維的膜和三維立體結構的宏觀材料。因為充分發揮了石墨烯表面積大,強度高的特性,三維立體結構的石墨烯在可以用作電能轉換、存儲裝置;電子場發射源;熱擴散層;油相吸附劑和催化劑載體等。常用來制備三維石墨烯宏觀組裝體的方法主要有:化學氣相沉淀法,冰模板法,自組裝法和水熱法。化學氣相沉淀法高度依賴于三維結構的金屬模板,步驟繁瑣,操作復雜;其他方法缺乏對石墨烯分散體系的預處理和預取向,獲得產品結構有序性差。簡單快速制備高度有序的石墨烯多孔膜仍然是一個巨大的挑戰。
發明內容
本發明的目的是克服現有技術的不足,提供一種石墨烯有序多孔膜的制備方法。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的:一種石墨烯有序多孔膜的制備方法,它的步驟如下:
1)將1重量份的石墨烯,5~100重量份的水混合,超聲分散后得到石墨烯分散液。
2)將步驟1制備的石墨烯分散液,以10~1000?mL/h的擠出速度在一字形模口的制備裝置中擠出,擠出后在液氮中停留1~100秒凝固成膜,再進一步冷凍干燥或者臨界冷凍干燥2-40h,最后得到有序多孔石墨烯膜。
該方法還可以由以下步驟組成:
1)將1重量份的或氧化石墨烯,5~100重量份的水混合,超聲分散后得到氧化石墨烯分散液。
2)將氧化石墨烯分散液,以10~1000?mL/h的擠出速度在一字形模口的制備裝置中擠出,擠出后在液氮中停留1~100秒凝固成膜,再進一步冷凍干燥或者臨界冷凍干燥2-40h,最后得到有序多孔氧化石墨烯膜。
3)將步驟(2)獲得的有序多孔氧化石墨烯膜置于還原劑中還原,洗滌干燥得到石墨烯膜。還原劑選自質量分數為1%-40%的水合肼、質量分數為1%-40%的硼氫化鈉水溶液、質量分數為1%-40%的苯肼水溶液、質量分數為1%-40%的氫溴酸水溶液、質量分數為1%-40%的茶多酚水溶液、質量分數為1%-40%的尿素水溶液、質量分數為1%-20%的硫代硫酸鈉水溶液、質量分數為1%-5%的氫氧化鈉水溶液、質量分數為1%-40%的氫氧化鉀水溶液、質量分數為5%-50%的維生素C水溶液、質量分數為1%-40%的葡萄糖水溶液、質量分數為1%-40%的氫碘酸水溶液、質量分數為1%-40%的醋酸水溶液、質量分數為1%-40%的苯酚水溶液。
所述步驟(2)中的一字形模口的制備裝置為長方體結構,中間開有一個逐漸變窄的一字形模口。
本發明與現有技術相比具有的有益效果:1)石墨烯或氧化石墨烯的初級原料為石墨,原料來源廣泛、易得、成本低廉;2)制備方法操作快速簡便、綠色環保,可以大規模制備;3)可以控制石墨烯有序多孔膜的厚度、寬度和孔隙尺寸,多孔膜的結構規整,有序度高;4)制得的石墨烯有序多孔膜有著很低的密度,很好的強度和韌性,同時有著優異的熱導性和導電性。
附圖說明
圖1為一字形模口的制備裝置的剖面圖;
圖2為一字形模口的制備裝置的主視圖;
圖3為一字形模口的制備裝置的后視圖;
圖4為石墨烯有序多孔膜斷面的掃描電子顯微鏡照片;?
圖5為石墨烯有序多孔膜超級電容器的電容-電壓曲線圖;
圖6為恒流充放電曲線圖。
具體實施方式
如圖1-3所示,一字形模口的制備裝置為長方體結構,中間開有一字形模口,所述的一字形模口為一個逐漸變窄的流道。逐漸變窄的流道能有效增加流場對石墨烯片的作用力,有利于石墨烯分散體系規整取向結構的形成。
本方法得到的石墨烯有序多孔膜,石墨烯沿軸向排列堆積成沿擠出方向通孔,密度為0.01-0.1g/cm3,?拉伸強度為5-20MPa,壓縮強度為1-5MPa,斷裂伸長率為1-10%,導電率大于1000S/m,孔隙率為90%-99.5%。
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