[發(fā)明專利]包括至少一個粘合層的裝置和形成粘合層的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410456455.4 | 申請日: | 2014-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN104485119B | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | Y·程;趙彤;M·C·考茨基;E·F·雷吉達;K·W·維爾曼;S·弗蘭岑;A·J·波伊尼 | 申請(專利權(quán))人: | 希捷科技有限公司 |
| 主分類號: | G11B5/127 | 分類號: | G11B5/127;G11B5/31 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 何焜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 至少 一個 粘合 裝置 形成 方法 | ||
1.一種用于磁記錄的裝置,包括:
近場換能器NFT,所述NFT具有盤體和樁,并且所述樁具有五個表面;和
至少一個粘合層,設(shè)置在所述樁的五個表面中的至少一個上,所述粘合層包括如下的一種或多種:
錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、釕(Ru)、锝(Tc)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鈹(Be)、鋁(Al)、錳(Mn)、銦(In)、硼(B)及其組合;
氧化鈹(BeO)、氧化硅(SiO)、氧化鐵(FeO)、氧化鋯(ZrO)、氧化錳(MnO)、氧化鎘(CdO)、氧化鎂(MgO)、氧化鉿(HfO)及其組合;
碳化鉭(TaC)、碳化鈾(UC)、碳化鉿(HfC)、碳化鋯(ZrC)、碳化鈧(ScC)、碳化錳(MnC)、碳化鐵(FeC)、碳化鈮(NbC)、碳化锝(TcC)、碳化錸(ReC)及其組合;和
氮化鉻(CrN)、氮化硼(BN)及其組合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述NFT包括金或其合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述至少一個粘合層位于所述樁的沿著具有波導(dǎo)的芯和寫入磁極的軸的表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中所述至少一個粘合層與所述波導(dǎo)的芯相鄰地定位。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,進一步包括至少一個額外的粘合層,其位于所述樁的垂直于具有所述芯和所述寫入磁極的所述軸的表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中除了空氣軸承表面,所述樁的所有表面在其上均具有粘合層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述樁的所有五個表面均在其上具有粘合層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述至少一個粘合層的厚度為約0.1nm至約100nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述至少一個粘合層的厚度為約0.2nm至約5nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述至少一個粘合層包括Ir、Pt、Pd、Ru、Re、Rh、Os、Al、B或其組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述至少一個粘合層包括Pt、Ir、Al或其組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述至少一個粘合層包括Ir。
13.一種用于磁記錄的裝置,包括:
能量源;
近場換能器NFT,經(jīng)構(gòu)建以接收源自所述能量源的能量,所述NFT具有盤體和樁,并且所述樁具有五個表面;和
至少一個粘合層,設(shè)置在所述樁的五個表面中的至少一個上,所述粘合層包括如下的一種或多種:
錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、釕(Ru)、锝(Tc)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鈹(Be)、鋁(Al)、錳(Mn)、銦(In)、硼(B)及其組合;
氧化鈹(BeO)、氧化硅(SiO)、氧化鐵(FeO)、氧化鋯(ZrO)、氧化錳(MnO)、氧化鎘(CdO)、氧化鎂(MgO)、氧化鉿(HfO)及其組合;
碳化鉭(TaC)、碳化鈾(UC)、碳化鉿(HfC)、碳化鋯(ZrC)、碳化鈧(ScC)、碳化錳(MnC)、碳化鐵(FeC)、碳化鈮(NbC)、碳化锝(TcC)、碳化錸(ReC)及其組合;和
氮化鉻(CrN)、氮化硼(BN)及其組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置,其中所述能量源包括激光器。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置,進一步包括波導(dǎo),所述波導(dǎo)經(jīng)構(gòu)建以接收源自所述能量源的能量并將其結(jié)合至所述NFT內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于希捷科技有限公司,未經(jīng)希捷科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410456455.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





