[發明專利]氧化劑用于半導體晶片處理的用途、為此的組合物的用途以及組合物

在審

• 申請號: 201410455973.4
• 申請日: 2008-04-11
• 公開（公告）號: CN104356948A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 于爾根·博塞;羅科·阿萊西奧;史蒂夫·多布森;海因茨-約阿希姆·貝爾特
• 申請（專利權）人: 索爾維公司
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;C11D3/39;C11D11/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/321
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;冷永華

1.至少一種選自過酸酯的氧化劑在用于半導體晶片處理的組合物中的用途，

其中所述過酸酯具有以下化學式：

其中：

R代表具有1到4個碳原子的烷基，并且n是從1到4。

2.根據權利要求1所述的用途，其中所述過酸酯是過己二酸單甲酯、過戊二酸單甲酯以及過琥珀酸單甲酯的混合物，該混合物的主要組分是過戊二酸單甲酯。

3.一種用于半導體晶片處理的組合物，包含至少一種選自過酸酯的氧化劑，

其中所述過酸酯具有以下化學式：

其中：

R代表具有1到4個碳原子的烷基，并且n是從1到4。

4.根據權利要求3所述的組合物，其中至少一種氧化劑選自如權利要求2所述的過酸酯。

5.根據權利要求3所述的組合物，其中所述組合物為溶液形式。

6.根據權利要求3-5中任一項所述的組合物，其中所述組合物為漿料形式并且還包含磨料顆粒。

7.根據權利要求3-6中任一項所述的組合物，其中在所述組合物中存在的氧化劑的總量是從0.01％w/w到40％w/w。

8.根據權利要求3-7中任一項所述的組合物，其中所述組合物還包含至少一種選自：螯合劑、穩定劑、分散劑、腐蝕抑制劑、增稠劑、pH控制劑的材料或它們的混合物。

9.根據權利要求3-8中任一項所述的組合物用于半導體晶片處理的用途。

10.根據權利要求9所述的用途，其中所述處理包括通過使所述組合物與所述半導體晶片的表面接觸而進行的晶片清潔。

11.根據權利要求9或10所述的用途，其中所述處理包括表面的化學機械平面化(CMP)，該平面化包括使所述組合物與有待拋光的表面接觸并且通過引起有待拋光的表面與另一個拋光表面之間的摩擦來拋光該表面。

12.根據權利要求11所述的用途，其中所述CMP是在半導體襯底上的金屬層上進行的，該金屬選自鋁、銅、鎢、鈦、它們的合金以及它們的混合物。