[發明專利]圖像傳感器及其制造方法在審
| 申請號: | 201410455767.3 | 申請日: | 2014-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN104659043A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發明(設計)人: | 金都煥;金鍾采;魯景旭;宋日鎬 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;周曉雨 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求2013年11月25日提交的申請號為10-2013-0143690的韓國專利申請的優先權,其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
本發明的示例性實施例涉及一種半導體器件制造技術,且更具體而言,涉及一種圖像傳感器及制造所述圖像傳感器的方法。
背景技術
圖像傳感器是一種可以將拍攝對象上的一個或多個維度的光學圖像轉換成電信號的器件。圖像傳感器包括:用于接收入射光和產生光電荷的像素陣列區,以及用于通過處理所產生的光電荷來產生電信號的邏輯區。邏輯區也可以稱為外圍電路區。入射光不僅照射在像素陣列區上,還照射在邏輯區上。由照射在邏輯區上的入射光而在邏輯區中產生的光電荷可能是對邏輯區中所產生的電信號的噪聲,即對于通過處理像素陣列區中所產生的光電荷而產生的電信號的噪聲。因此,邏輯區可以使用遮光圖案以便阻擋入射光。
通常來說,遮光圖案形成在邏輯區的襯底之上。因此,在像素陣列區和邏輯區之間存在臺階高度差。由遮光圖案造成的兩個區域之間的臺階高度差惡化了圖像傳感器的特性和集成度。
發明內容
本發明的示例性實施例針對一種可以防止圖像傳感器的特性因為像素陣列區和邏輯區之間的臺階高度差而惡化的圖像傳感器及制造所述圖像傳感器的方法。
根據本發明的一個示例性實施例,一種圖像傳感器包括:襯底,其包括像素陣列區和邏輯區,其中像素陣列區的表面高于邏輯區的表面;以及遮光圖案,其形成在邏輯區的襯底之上,且具有與襯底的表面處于基本相同的平面上的表面。
根據本發明的另一個示例性實施例,一種圖像傳感器包括:襯底,其包括第一區和第二區;層間電介質層,其形成在襯底的正面之上;溝槽,其形成在第二區的襯底的背面中;以及遮光圖案,其填充在溝槽中。
根據本發明的又一個示例性實施例,一種制造圖像傳感器的方法,包括以下步驟:在第一襯底的第一區中形成雜質區;在第一襯底的第一區和第二區之上形成第二襯底;刻蝕第一襯底和第二襯底來去除雜質區且在第二區的第二襯底中形成溝槽;以及形成填充溝槽的遮光圖案。
附圖說明
圖1是示出根據本發明實施例的圖像傳感器的框圖。
圖2A和2B是示出根據本發明的一個比較例的圖像傳感器的截面圖。
圖3是示出根據本發明實施例的圖像傳感器的截面圖。
圖4A至4G是示出根據本發明實施例的用于制造圖3中的圖像傳感器的方法的截面圖。
圖5是示出包括根據本發明實施例的圖像傳感器的電子系統的框圖。
具體實施方式
以下將參考附圖更詳細地描述本發明的示例性實施例。然而,本發明也可以用不同形式來實施,且不限于本文描述的實施例。確切地說,提供這些實施例使本公開充分和完整,且將本發明的范圍完全傳達給本領域技術人員。在本公開中,本發明的不同附圖和實施例中的相似附圖標記表示相似部件。
附圖并不一定按比例繪制,并且在某些情況下,為了清楚地示出實施例的特征可能對比例做夸大處理。當在本發明的示圖和具體描述中描述具有多于兩層的多層結構時,該描述只是反映特定實施例的相對位置或布置,而不是限制本發明的精神和范圍。層的相對位置或布置可以根據實施例而不同。另外,多層結構的圖或具體描述可以不反映出多層結構中存在的所有層。例如,在兩個示出的層之間可以有多于一個的附加層。當提及第一層在第二層“上”或在襯底“上”時,其不僅指第一層直接形成在第二層上或襯底上的情況,還指在第一層和第二層或襯底之間存在第三層的情況。
本發明的以下實施例描述和提供了一種可以防止圖像傳感器的特性因為像素陣列區和也被稱作外圍電路區的邏輯區之間的臺階高度差而惡化的圖像傳感器及制造所述圖像傳感器的方法。具體來說,像素陣列區和邏輯區之間的臺階高度差可以是由形成在邏輯區的襯底之上的遮光圖案造成的。遮光圖案防止入射光照射在邏輯區上,且防止光電荷在邏輯區中產生并作為噪聲。因此,本發明的以下實施例提供了一種具有掩埋在邏輯區的襯底中的遮光圖案以消除由于像素陣列區和邏輯區之間的遮光圖案而造成的臺階高度差的圖像傳感器及制造所述圖像傳感器的方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





