[發(fā)明專利]測定裝置、基板處理系統(tǒng)和測定方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410455722.6 | 申請日: | 2014-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN104425308A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 森山茂;尾上幸太朗;后藤英昭;藤原真樹 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/677;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測定 裝置 處理 系統(tǒng) 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明公開的實施方式涉及測定裝置、基板處理系統(tǒng)和測定方法。
背景技術
近年來,在FPD(Flat?Panel?Display)制造中,通過光刻工藝在基板上形成圖案。在上述的光刻工藝中,在玻璃基板等被處理基板上形成規(guī)定的膜后,涂敷抗蝕劑,使用掩膜對形成于基板上的抗蝕劑膜進行曝光使其成規(guī)定的圖案。然后,將曝光后的基板浸漬在顯影液中進行顯影處理,從而在基板上形成圖案。
然而,提案有一種對于如上述方式形成的基板的圖案測定圖案的線寬的裝置。例如,在專利文獻1中公開了一種技術,在石質(zhì)平臺之上載置吸附基板的吸附板,在吸附板之上載置并固定基板的狀態(tài)下,測定基板的圖案的線寬。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2008-140816號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的技術問題
但是,在上述現(xiàn)有技術中,石質(zhì)平臺采用大理石等制作,因此,有可能導致線寬測定裝置整體重量的增加,裝置價格變得昂貴。
實施方式的一個方式的目的在于,提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)輕量化且廉價的測定裝置、基板處理系統(tǒng)和測定方法。
用于解決技術課題的技術方案
實施方式的一個方式所涉及的測定裝置包括搬送部、拍攝部和測定部。搬送部搬送形成有圖案的基板。拍攝部配置于上述搬送部的上方,對載置于上述搬送部上的上述基板的圖案進行拍攝。另外,測定部根據(jù)由上述拍攝部所拍攝的所述圖案的圖像信息來測定上述圖案的形狀。
發(fā)明效果
根據(jù)實施方式的一個方式,在測定裝置中,能夠?qū)崿F(xiàn)輕量化且降低價格。
附圖說明
圖1是表示第1實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的結構的示意說明圖。
圖2是表示圖1所示的線寬測定裝置的結構的示意立體圖。
圖3是圖1所示的線寬測定裝置的塊圖。
圖4是基板的示意放大圖。
圖5是表示線寬測定處理的處理順序的流程圖。
圖6A是基板的示意平面圖。
圖6B是將圖6A所示的基板的一部分放大表示的示意放大平面圖。
圖7是表示基板的振動的圖表。
圖8是表示在基板與第2基板測定的測定點的變形例的示意說明圖。
圖9是表示第2實施方式所涉及的線寬測定裝置的結構的示意立體圖。
圖10是表示第3實施方式所涉及的線寬測定處理的處理順序的流程圖。
圖11是表示第4實施方式所涉及的線寬測定處理的處理順序的流程圖。
附圖標記說明
1??基板處理系統(tǒng)
11?抗蝕劑涂敷裝置
12?減壓干燥裝置
13?預烘焙裝置
14?冷卻裝置
15?曝光裝置
16?局部曝光裝置
17?顯影裝置
18?線寬測定裝置
20?搬送部
30?拍攝部
40?移動部
50?測定控制裝置
51?測定部
52?存儲部
53?反饋部
C1~C9?區(qū)域
D、Da、Db?測定點
G?基板
具體實施方式
下面,參照附圖,詳細的說明本發(fā)明所公開的測定裝置、基板處理系統(tǒng)和測定方法的實施方式。此外,本發(fā)明并不限于以下所示的實施方式。
(第1實施方式)
<1.基板處理系統(tǒng)>
首先,參照圖1,對第1實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的結構進行說明。圖1是表示第1實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的結構的示意說明圖。
圖1所示的第1實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)1是在被處理基板G(以下稱作“基板G”。圖1中未圖示)上進行通過光刻工藝形成圖案的處理的單元。
基板處理系統(tǒng)1包括:抗蝕劑涂敷裝置11;減壓干燥裝置12;預烘焙裝置13;冷卻裝置14;曝光裝置15;局部曝光裝置16;顯影裝置17;和線寬測定裝置18。上述各個裝置11~18在X軸正方向上以該順序連接為一體。此外,上述線寬測定裝置18相當于測定裝置的一個例子。
此外,對于局部曝光裝置16的配置位置,并不限于上述的曝光裝置15的后級。即,例如也可以將局部曝光裝置16配置于預烘焙裝置13的后級、或者冷卻裝置14的后級。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





