[發明專利]一種電可編程熔絲器件、集成電路和電子裝置在審
| 申請號： | 201410455030.1 | 申請日： | 2014-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN105470238A | 公開（公告）日： | 2016-04-06 |
| 發明（設計）人： | 甘正浩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 高偉;趙禮杰 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 可編程 器件 集成電路 電子 裝置 | ||
1.一種電可編程熔絲器件，其特征在于，包括陽極、陰極以及 連接所述陽極與所述陰極的熔絲連接部，還包括覆蓋所述陽極的壓應 力層和覆蓋所述陰極的張應力層。
2.如權利要求1所述的電可編程熔絲器件，其特征在于，所述 壓應力層和所述張應力層延伸至所述熔絲連接部的上方。
3.如權利要求2所述的電可編程熔絲器件，其特征在于，所述 壓應力層和所述張應力層彼此鄰接。
4.如權利要求1所述的電可編程熔絲器件，其特征在于，所述 壓應力層的材料包括壓應力氮化硅，所述張應力層的材料包括張應力 氮化硅。
5.如權利要求1所述的電可編程熔絲器件，其特征在于，所述 壓應力層與所述張應力層還作為接觸孔刻蝕阻擋層。
6.如權利要求1所述的電可編程熔絲器件，其特征在于，所述 陽極、所述陰極以及所述熔絲連接部均包括多晶硅層以及位于所述多 晶硅層之上的硅化物層。
7.如權利要求6所述的電可編程熔絲器件，其特征在于，所述 硅化物層的材料包括硅化鎳、硅化鈦、硅化鈷、硅化鉭和硅化鉑中的 至少一種。
8.如權利要求1所述的電可編程熔絲器件，其特征在于，所述 陽極與所述陰極的形狀相同，其形狀為矩形或由矩形和等腰梯形疊加 形成的圖形。
9.一種集成電路，其特征在于，包括電可編程熔絲器件，其中 所述電可編程熔絲器件包括陽極、陰極以及連接所述陽極與所述陰極 的熔絲連接部，還包括覆蓋所述陽極的壓應力層和覆蓋所述陰極的張 應力層。
10.一種電子裝置，其特征在于，包括集成電路以及與所述集成 電路相連接的電子組件，其中所述集成電路包括電可編程熔絲器件， 所述電可編程熔絲器件包括陽極、陰極以及連接所述陽極與所述陰極 的熔絲連接部，還包括覆蓋所述陽極的壓應力層和覆蓋所述陰極的張 應力層。
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