[發明專利]無核心層封裝基板與其制造方法

有效

• 申請號: 201410454899.4
• 申請日: 2014-09-09
• 公開（公告）號: CN105470144B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 林俊廷;詹英志
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司11279
• 代理人: 王正茂,叢芳

1.一種無核心層封裝基板的制造方法，其特征在于，所述無核心層封裝基板的制造方法包含：

在承載基板上形成第一圖案化金屬層，其中所述第一圖案化金屬層具有犧牲區塊與多個導體柱；

在所述承載基板與所述第一圖案化金屬層上形成介電層；

平坦化所述介電層并裸露出所述第一圖案化金屬層；

薄化所述第一圖案化金屬層，使所述介電層凸出于所述第一圖案化金屬層；

在所述犧牲區塊上形成蝕刻停止層；

在所述蝕刻停止層、所述介電層、與所述第一圖案化金屬層上形成第二圖案化金屬層；

在所述第二圖案化金屬層、所述蝕刻停止層、所述介電層、與所述第一圖案化金屬層上形成第一增層結構；

移除所述承載基板；

移除所述第一圖案化金屬層的所述犧牲區塊，并形成置晶凹槽；以及

移除所述蝕刻停止層；

其中第一增層結構包含至少一個第一介電層、設于所述第一介電層上的第一增層線路層以及形成于所述第一介電層中的多個第一導電盲孔，其中部分的所述多個第一導電盲孔電性連接所述第二圖形化金屬層與所述第一增層線路層。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包含：

移除所述第一介電層的部分表面厚度，使位于所述置晶凹槽的所述第二圖案化金屬層凸出于所述第一介電層并形成多個凸塊。

3.一種堆疊封裝結構的制造方法，其特征在于，所述堆疊封裝結構的制造方法包含：

提供使用如權利要求1或2所述的制造方法所制造的無核心層封裝基板；

在所述置晶凹槽中放置晶片，并與所述第二圖案化金屬層形成電性連接；

在所述置晶凹槽與所述晶片之間的空隙中填充絕緣材料，使所述晶片固定于所述無核心層封裝基板，以形成第一封裝結構；以及

在所述第一封裝結構設有所述晶片的一側設置第二封裝結構，且所述第二封裝結構電性連接所述第一封裝結構的所述多個導體柱。

4.一種封裝結構的制造方法，其特征在于，所述封裝結構的制造方法包含：

提供使用如權利要求1或2所述的制造方法所制造的無核心層封裝基板；

在所述置晶凹槽中放置晶片，并與所述第二圖案化金屬層形成電性連接；

在所述置晶凹槽與所述晶片之間的空隙中填充絕緣材料，使所述晶片固定于所述無核心層封裝基板；以及

在所述無核心層封裝基板設有所述晶片的一側形成第二增層結構，其中所述第二增層結構包含至少一個第二介電層、形成于所述第二介電層上的第二增層線路層以及形成于所述第二介電層中的多個第二導電盲孔，其中部分的所述多個第二導電盲孔電性連接所述多個導體柱與所述第二增層線路層。

5.一種無核心層封裝基板，其特征在于，所述無核心層封裝基板包含：

介電層，其具有置晶開口與多個貫孔；

第一介電層，其設于所述介電層下方表面上，并與所述置晶開口構成置晶凹槽；

圖形化金屬層，其具有埋設于所述第一介電層中且部分設于所述介電層下方表面的線路層、與埋設且外露于構成所述置晶凹槽的部分所述第一介電層的多個凸塊；

多個導體柱，其設于所述多個貫孔中，并電性連接所述線路層，其中設于所述多個導體柱下方表面的所述線路層的厚度與設于所述置晶凹槽的所述多個凸塊的厚度皆大于設于所述介電層下方表面的線路層的厚度；

第一增層線路層，其設于所述第一介電層下方表面；以及

多個第一導電盲孔，其設于所述第一介電層中，且所述多個第一導電盲孔電性連接所述第一增層線路層與所述線路層或所述多個凸塊；其中

所述第一介電層、所述第一增層線路層、與所述多個第一導電盲孔構成第一增層結構或所述第一增層結構的最小增層單位。

6.如權利要求5所述的無核心層封裝基板，其中所述多個凸塊凸出于所述多個凸塊周圍的所述第一介電層。

7.一種堆疊封裝結構，其特征在于，所述堆疊封裝結構包含：

如權利要求5或6所述的無核心層封裝基板；

晶片，其設于所述置晶凹槽中，且電性連接所述多個凸塊；

絕緣材料，其設于所述置晶凹槽與所述晶片之間的空隙中，使所述晶片固定于所述無核心層封裝基板，以形成第一封裝結構；以及

第二封裝結構，其設于所述第一封裝結構設有所述晶片的一側，且電性連接所述第一封裝結構的所述多個導體柱。

8.一種封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包含：

如權利要求5或6所述的無核心層封裝基板；

晶片，其設于所述置晶凹槽中，且電性連接所述多個凸塊；

絕緣材料，其設于所述置晶凹槽與所述晶片之間的空隙中，使所述晶片固定于所述無核心層封裝基板；以及

第二增層結構，其設于所述無核心層封裝基板設有所述晶片的一側，其中所述第二增層結構包含至少一個第二介電層、設于所述第二介電層上的第二增層線路層以及設于所述第二介電層中的多個第二導電盲孔，其中部分的所述多個第二導電盲孔電性連接所述多個導體柱與所述第二增層線路層。