[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410454133.6 | 申請日： | 2014-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN104953016A | 公開（公告）日： | 2015-09-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 藤村一夫;山崎宏德;小野正;久保晉作;布谷伸仁 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L33/58 | 分類號： | H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于包括：
半導(dǎo)體層，具有第1側(cè)、與所述第1側(cè)為相反側(cè)的第2側(cè)、以及側(cè)面，且包含發(fā)光層；
第1電極，設(shè)于所述第2側(cè)；
第2電極，設(shè)于所述第2側(cè)；
第1絕緣膜，設(shè)于所述第2側(cè)；
第1布線部，設(shè)于所述第1絕緣膜上且連接于所述第1電極；
第2布線部，設(shè)于所述第1絕緣膜上且連接于所述第2電極；
第2絕緣膜，設(shè)于所述第1布線部與所述第2布線部之間、以及所述側(cè)面；以及
光學(xué)層，設(shè)于所述第1側(cè)及于所述側(cè)面設(shè)置的所述第2絕緣膜上，且對所述發(fā)光層的放射光具有透過性；且
在所述第1側(cè)設(shè)有多個凸部與多個凹部，所述凸部的頂部比所述光學(xué)層的界面更接近所述第2側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述凸部的所述頂部比所述光學(xué)層的所述第2絕緣膜側(cè)的端更接近所述第2側(cè)1μm以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于在所述第1側(cè)設(shè)有多個凸部與多個凹部，且所述多個凸部包含第1凸部及高度低于所述第1凸部的第2凸部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第1側(cè)是以所述第1側(cè)的中心部側(cè)的區(qū)域向所述第2側(cè)凹陷的方式彎曲。
5.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于包括：
半導(dǎo)體層，具有第1側(cè)、與所述第1側(cè)為相反側(cè)的第2側(cè)、以及側(cè)面，且包含發(fā)光層；
第1電極，設(shè)于所述第2側(cè)；
第2電極，設(shè)于所述第2側(cè)；
第1絕緣膜，設(shè)于所述第2側(cè)；
第1布線部，設(shè)于所述第1絕緣膜上且連接于所述第1電極；
第2布線部，設(shè)于所述第1絕緣膜上且連接于所述第2電極；
第2絕緣膜，設(shè)于所述第1布線部與所述第2布線部之間；以及
光學(xué)層，設(shè)于所述第1側(cè)，且對所述發(fā)光層的放射光具有透過性；且
在所述第1側(cè)設(shè)有多個凸部與多個凹部，所述多個凸部包含第1凸部及高度低于所述第1凸部的第2凸部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第1凸部的高度為所述第2凸部的高度的2倍以上。
7.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于包括：
半導(dǎo)體層，具有第1側(cè)、與所述第1側(cè)為相反側(cè)的第2側(cè)、以及側(cè)面，且包含發(fā)光層；
第1電極，設(shè)于所述第2側(cè)；
第2電極，設(shè)于所述第2側(cè)；
第1絕緣膜，設(shè)于所述第2側(cè)；
第1布線部，設(shè)于所述第1絕緣膜上且連接于所述第1電極；
第2布線部，設(shè)于所述第1絕緣膜上且連接于所述第2電極；
第2絕緣膜，設(shè)于所述第1布線部與所述第2布線部之間；以及
光學(xué)層，設(shè)于所述第1側(cè)，且對所述發(fā)光層的放射光具有透過性；且
所述第1側(cè)是以所述第1側(cè)的中心部側(cè)的區(qū)域向所述第2側(cè)凹陷的方式彎曲。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第1側(cè)被粗面化。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第1絕緣膜也設(shè)于所述半導(dǎo)體層的與所述第1側(cè)連續(xù)的所述側(cè)面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體層的所述側(cè)面隔著所述第1絕緣膜而設(shè)有反射膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體層的所述側(cè)面相對于所述第1側(cè)及所述第2側(cè)傾斜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述第1布線部包含設(shè)于所述第1絕緣膜上的第1布線層及設(shè)于所述第1布線層上且厚于所述第1布線層的第1金屬柱；且
所述第2布線部包含設(shè)于所述第1絕緣膜上的第2布線層以及設(shè)于所述第2布線層上且厚于所述第2布線層的第2金屬柱。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于所述光學(xué)層是熒光體層，該熒光體層包含：
通過所述發(fā)光層的放射光而被激發(fā)并放射波長與所述發(fā)光層的放射光不同的光的多個熒光體；以及
使所述多個熒光體一體化并使所述發(fā)光層的放射光以及所述熒光體的放射光透過的結(jié)合材。
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