[發明專利]一種耐高低溫阻抗變換器的制備方法在審
| 申請號： | 201410453399.9 | 申請日： | 2014-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN104242854A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發明（設計）人： | 王淑芝;盧偉;紀奕才;方廣有 | 申請（專利權）人： | 中國科學院電子學研究所 |
| 主分類號： | H03H3/00 | 分類號： | H03H3/00;H01F41/12 |
| 代理公司： | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人： | 楊志兵;郭德忠 |
| 地址： | 100080 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 阻抗 變換器 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種耐高低溫阻抗變換器的制備方法，其特征在于：所述方法步驟如下：
(1)用真空氣相沉積方法對干燥清潔的磁環整體進行聚對二甲苯真空涂覆；
(2)在涂覆后的磁環上繞漆包線；
(3)將繞有漆包線的磁環焊接到印制板上，得到阻抗變換器；
(4)對阻抗變換器用真空氣相沉積方法進行聚對二甲苯真空涂覆，得到一種耐高低溫阻抗變換器；
步驟(1)和步驟(2)中真空涂覆的聚對二甲苯涂層厚度分別為20μm～25μm；
真空氣相沉積方法符合美軍標MIL-I-46058；
磁環為宇航級磁環；漆包線為聚酰亞胺漆包線，執行標準為GB/T6109.6；
聚對二甲苯為符合美軍標MIL-I-46058的C型聚對二甲苯和/或N型聚對二甲苯。
2.根據權利要求1所述的一種耐高低溫阻抗變換器的制備方法，其特征在于：所述聚對二甲苯為符合美軍標MIL-I-46058的C型聚對二甲苯。
3.根據權利要求1所述的一種耐高低溫阻抗變換器的制備方法，其特征在于：所述真空氣相沉積方法使用美國SCS公司生產的聚對二甲苯涂敷系統PDS2060V設備完成。
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