[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410452729.2 | 申請(qǐng)日： | 2014-09-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104882474A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-09-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鐮田周次 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/739 | 分類號(hào)： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：
半導(dǎo)體基板，其具有第一面、及與所述第一面對(duì)向的第二面；
多個(gè)第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第二面?zhèn)鹊乃霭雽?dǎo)體基板內(nèi)部，沿著第一方向延伸，在與所述第一方向正交的第二方向上排列配置，并且隔著柵極絕緣膜被柵極層包圍；
多個(gè)第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，其位于在所述第二方向上相鄰的所述第一半導(dǎo)體層之間，并且在從所述第二面朝向所述第一面的方向上的深度比所述第一半導(dǎo)體層淺；
第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第二面的所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部，配置在所述第一半導(dǎo)體層的所述第一方向的端部，隔著所述柵極絕緣膜被所述柵極層包圍，并且在從所述第二面朝向所述第一面的方向上的深度與所述第一半導(dǎo)體層相同；
第二導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層的所述第二面?zhèn)龋?/p>
第一導(dǎo)電型的第六半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第一面；
第二導(dǎo)電型的第七半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第一、第二及第三半導(dǎo)體層與所述第六半導(dǎo)體層之間；
射極電極，其電連接于所述第三及第四半導(dǎo)體層；以及
集極電極，其電連接于所述第六半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第一方向上的所述柵極層的端部成為曲線形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：還包括第一導(dǎo)電型的第八半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第二面的所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部，配置在所述第一方向上的所述第二半導(dǎo)體層的端部，并且在從所述第二面朝向所述第一面的方向上的深度與所述第一半導(dǎo)體層相同；并且
所述射極電極電連接于所述第八半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：還包括第一導(dǎo)電型的第十半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第二面的所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部，隔著所述柵極絕緣膜配置在所述第二方向上的所述第一半導(dǎo)體層的端部，沿著所述第一方向延伸，并且在從所述第二面朝向所述第一面的方向上的深度與所述第一半導(dǎo)體層相同；并且
所述射極電極電連接于所述第十半導(dǎo)體層。
5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：
半導(dǎo)體基板，其具有第一面、及與所述第一面對(duì)向的第二面；
多個(gè)第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第二面?zhèn)鹊乃霭雽?dǎo)體基板內(nèi)部，沿著第一方向延伸，在與所述第一方向正交的第二方向上排列配置，并且隔著柵極絕緣膜被柵極層包圍；
多個(gè)第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，其位于在所述第二方向上相鄰的所述第一半導(dǎo)體層之間，并且在從所述第二面朝向所述第一面的方向上的深度比所述第一半導(dǎo)體層淺；
第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第二面的所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部，配置在所述第一半導(dǎo)體層的所述第一方向的端部，在與所述第一半導(dǎo)體層之間隔著所述柵極層而設(shè)置，并且在從所述第二面朝向所述第一面的方向上的深度與所述第一半導(dǎo)體層相同；
一片引出用柵極層，其從所述柵極層的所述第一方向的端部沿著所述第一方向在所述第三半導(dǎo)體層內(nèi)延伸；
第二導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層的所述第二面?zhèn)龋?/p>
第一導(dǎo)電型的第六半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第一面；
第二導(dǎo)電型的第七半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第一、第二及第三半導(dǎo)體層與所述第六半導(dǎo)體層之間；
射極電極，其電連接于所述第三及第四半導(dǎo)體層；以及
集極電極，其電連接于所述第六半導(dǎo)體層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社東芝，未經(jīng)株式會(huì)社東芝許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410452729.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
