[發明專利]一種相變存儲器及其制造方法和電子裝置在審
| 申請號: | 201410452709.5 | 申請日: | 2014-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN105470386A | 公開(公告)日: | 2016-04-06 |
| 發明(設計)人: | 王蕾;詹奕鵬;馮高明;李瑩;李志超 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L45/00 | 分類號: | H01L45/00 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人: | 董巍;高偉 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 相變 存儲器 及其 制造 方法 電子 裝置 | ||
1.一種相變存儲器的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供前端器件,在所述前端器件上形成層間介電層以及位于所述層間介電層內的底電極;
形成覆蓋所述底電極的相變材料層;
對所述相變材料層進行刻蝕以形成位于所述底電極上方且與所述底電極相連接的相變層;
對所述相變層進行退火處理。
2.如權利要求1所述的相變存儲器的制造方法,其特征在于,在進行所述退火處理步驟之后還形成覆蓋所述相變層的蓋帽層的步驟。
3.如權利要求1所述的相變存儲器的制造方法,其特征在于,所述相變材料層的材料為鍺、銻、碲的合成材料Ge2Sb2Te5。
4.如權利要求1所述的相變存儲器的制造方法,其特征在于,在進行所述退火處理步驟時,控制退火溫度在高于所述相變層的結晶溫度低于所述相變層的熔化溫度的范圍內。
5.如權利要求1所述的相變存儲器的制造方法,其特征在于,所述相變層由非晶態轉變為結晶態,體積發生了收縮。
6.如權利要求2所述的相變存儲器的制造方法,其特征在于,所述蓋帽層的材料包括氮化鈦。
7.一種采用權利要求1-6中任一項所述的方法制造的相變存儲器。
8.一種電子裝置,其特征在于,包括權利要求7所述的相變存儲器。
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