[發明專利]半導體器件制造方法

在審

• 申請號: 201410452054.1
• 申請日: 2014-09-05
• 公開（公告）號: CN105390433A
• 公開（公告）日: 2016-03-09
• 發明（設計）人: 孟令款
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/033
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括：

步驟1，在包括下層結構的襯底上形成絕緣介質層；

步驟2，在絕緣介質層上形成硬掩模層和軟掩模圖形；

步驟3，以軟掩模圖形為掩模，對硬掩模層執行第一刻蝕以形成硬掩模圖形；

步驟4，以硬掩模圖形為掩模，對絕緣介質層執行第二刻蝕以形成接觸孔或溝槽；

步驟5，通入氧化性氣體，去除接觸孔或溝槽側壁上的聚合物；

步驟6，多次執行步驟4和/或步驟5，直至露出下層結構。

2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，絕緣介質層包括氧化硅、氮化硅、低k材料中的一種或其組合。

3.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，硬掩模層材料主要由非晶硅組成。

4.如權利要求3的半導體器件制造方法，其中，硬掩模層除了非晶硅的第一層之外，還可包括選自多晶硅、非晶碳、氧化硅、氮化硅的任意一種或其組合的多個第二層。

5.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一刻蝕的反應氣體包括選自Cl₂、HBr、SF₆或碳氟基氣體的任意一種或其組合的刻蝕氣體，以及選自O₂、CO中的任意一種或其組合的氧化性氣體。

6.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第二刻蝕的反應氣體包括選自CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、C₄F₆、C₄F₈的任意一種或其組合的碳氟基刻蝕氣體。

7.如權利要求5的半導體器件制造方法，其中，碳氟基氣體包括選自CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F的任意一種或其組合的碳氟基刻蝕氣體。

8.如權利要求6的半導體器件制造方法，其中，第二刻蝕的反應氣體也包括氧化性氣體，并且步驟5中停止通入碳氟基刻蝕氣體。

9.如權利要求8的半導體器件制造方法，其中，提高碳氟基刻蝕氣體中的碳氟的流量比或者減小氧化性氣體的比例以形成傾斜的接觸孔或溝槽側壁；還可通過減小碳氟基刻蝕氣體中的碳氟比或者增大氧化性氣體的比例以形成垂直的接觸孔或溝槽側壁。

10.如權利要求1或8的半導體器件制造方法，其中，步驟5或步驟4中的氧化性氣體選自O₂、CO中的任意一種或其組合。

11.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，軟掩模圖形為適用于電子束光刻、193nm浸入式光刻、i線光刻、g線光刻的任意一種或其組合的光刻膠圖形，第二刻蝕的刻蝕設備為電容耦合等離子體(CCP)或電感耦合等離子體(ICP、TCP)腔體。