[發明專利]一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法

有效

• 申請號: 201410451763.8
• 申請日: 2014-09-05
• 公開（公告）號: CN104244547B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 史亮;李得天;湯道坦;柳青;趙呈選;陳益峰;秦曉剛;楊生勝;高原
• 申請（專利權）人: 蘭州空間技術物理研究所
• 主分類號: H05F1/02
• 分類號: H05F1/02;H01L31/18
• 代理公司: 北京理工大學專利中心11120
• 代理人: 付雷杰,仇蕾安

1.一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、制作透明導電復合薄膜，具體為：

將透明聚酰亞胺膜(1)作為基底材料，利用等離子體聚合方法在基底材料的一側表面上制備硅氧烷膜(2)，在所述硅氧烷膜(2)上利用磁控濺射方法制備氧化銦錫膜(3)，形成透明導電復合薄膜；

步驟2、將透明導電復合薄膜覆于并固定在太陽電池陣表面上，復合薄膜導電層朝向空間方向且與航天器結構地相連。

2.如權利要求1所述的一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法，其特征在于，所述透明聚酰亞胺膜(1)的厚度為0.25μm。

3.如權利要求1所述的一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法，其特征在于，所述硅氧烷膜(2)的厚度為150nm。

4.如權利要求1所述的一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法，其特征在于，所述氧化銦錫膜(3)的厚度為10nm-20nm。

5.如權利要求1所述的一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法，其特征在于，所述硅氧烷膜(2)的制備方法是將六甲基二硅氧烷有機單體或者六甲基二硅氧烷有機單體與氧氣的混合氣體進行輝光放電，使六甲基二硅氧烷單體激發，從而在透明聚酰亞胺基底上生成硅氧烷膜(2)。

6.如權利要求1所述的一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法，其特征在于，所述透明導電復合薄膜的尺寸大于太陽電池陣的尺寸，當太陽電池陣的尺寸為a米×b米，航天器設計溫度變化量為ΔT℃，則透明導電復合薄膜的尺寸為(a+ΔT·5.5×10^-7)米×(b+ΔT·5.5×10^-7)米。

7.如權利要求1所述的一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法，其特征在于，所述安裝在太陽電池陣邊沿的透明導電復合薄膜留有出氣通道。

8.如權利要求1所述的一種低軌道航天器高壓太陽電池陣二次放電防護方法，其特征在于，所述磁控濺射方法具體為RF磁控濺射方法，濺射設備采用美國K.J.Lesker公司KJLC3000全自動磁控濺射鍍膜系統，所用靶材為99.99％的ITO即重量含量分別為90％In₂O₃和重量含量為10％SnO₂的陶瓷靶，工作氣體為氬氣，反應氣體為氧氣，靶材與硅氧烷膜距離為10cm，濺射功率300W，濺射壓強為2.0mTorr，氬氣與氧氣的體積比為20：1，沉積時間5min。