[發明專利]平衡有虛設銅圖案的嵌入PCB單元表面的半導體器件和方法

有效

• 申請號: 201410451734.1
• 申請日: 2014-09-05
• 公開（公告）號: CN104576517B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 林耀劍;陳康;高英華;沈一權
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;陳嵐

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供載體；

提供襯底；

在所述襯底的第一表面上方形成第一導電層；

在所述第一導電層上方形成第一絕緣層；

在所述襯底的第二表面上方形成第二導電層，所述第二導電層包括虛設圖案，以近似平衡第二導電層與第一導電層；

在所述第二導電層上方形成第二絕緣層；

在所述載體上提供界面層；

在形成第一導電層和第二導電層之后將襯底布置在所述載體上，其中第二絕緣層接觸所述界面層；

將半導體管芯布置在所述載體上，所述半導體管芯在橫向上與所述襯底分離，其中襯底的側表面與半導體管芯的側表面相對并且半導體管芯的活性表面朝著載體定向；

將密封劑沉積在半導體管芯的側表面與襯底的側表面之間的載體上方；

移除載體以暴露半導體管芯的第一接觸焊盤和第二導電層的第二接觸焊盤；

在載體和半導體管芯上方形成內建互連結構，其中所述內建互連結構電接觸半導體管芯的第一接觸焊盤和第二導電層的第二接觸焊盤；以及

背面研磨密封劑以暴露半導體管芯和第一絕緣層。

2.權利要求1所述的方法，還包括在所述襯底的側壁中形成缺口。

3.權利要求1所述的方法，還包括形成穿過所述襯底的開口。

4.權利要求1所述的方法，還包括：在所述第二絕緣層中形成虛設開口。

5.權利要求1所述的方法，其中所述襯底的所述第一表面包括比所述襯底的所述第二表面的寬度大的寬度。

6.一種半導體器件，包括：

襯底；

在所述襯底的第一表面上方形成的多個第一接觸焊盤；

在所述襯底的第二表面上方形成的多個第二接觸焊盤；

在所述襯底的第二表面上方形成的虛設圖案，其中由第一接觸焊盤覆蓋的第一表面的面積近似等于由第二接觸焊盤覆蓋的第二表面的面積加上虛設圖案的面積；

半導體管芯，布置成鄰近于所述襯底并且在半導體管芯與襯底之間具有橫向間隔；

在所述襯底的第二表面上方形成的第一絕緣層；

在所述半導體管芯的活性表面上方形成的第二絕緣層；以及

密封劑，沉積在所述襯底的第一表面和所述半導體管芯的非活性表面上方，其中所述密封劑與所述第一絕緣層和所述第二絕緣層接觸，并且其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層保持從所述密封劑暴露。

7.權利要求6所述的半導體器件，其中所述襯底的所述第一表面包括比所述襯底的所述第二表面的寬度大的寬度。

8.權利要求6所述的半導體器件，其中所述襯底的側壁包括缺口。

9.權利要求6所述的半導體器件，還包括穿過所述襯底的開口。

10.權利要求9所述的半導體器件，其中所述密封劑被布置在所述襯底的所述開口中。

11.權利要求6所述的半導體器件，還包括在所述第一絕緣層中形成的虛設開口。

12.權利要求6所述的半導體器件，其中所述密封劑的表面與所述第一絕緣層的表面和所述第二絕緣層的表面共平面。