[發(fā)明專利]MEMS差壓傳感器芯片及制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410451663.5
• 申請日: 2014-09-05
• 公開（公告）號: CN104236787B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發(fā)明（設計）人: 殷宗平;薛靜靜
• 申請（專利權）人: 龍微科技無錫有限公司
• 主分類號: G01L13/06
• 分類號: G01L13/06;G01L13/02
• 代理公司: 北京中恒高博知識產權代理有限公司11249
• 代理人: 高玉濱

1.MEMS差壓傳感器芯片，其特征在于，包括位于下部的襯底和位于上部的結構層，?

在所述襯底頂面設有導壓通道，

在所述上部結構層底面設有敏感壓力淺腔和基準壓力淺腔，所述上部結構層頂面與所述敏感壓力淺腔和所述基準壓力淺腔之間分別為敏感壓力膜和基準壓力膜，

所述導壓通道連通所述敏感壓力淺腔和所述基準壓力淺腔，

在所述基準壓力膜上設置有貫穿所述基準壓力膜的導壓孔，

在所述敏感壓力膜頂部設有壓敏電阻，所述壓敏電阻與金屬引線連接。

2.如權利要求1所述MEMS差壓傳感器芯片，其特征在于，在所述上部結構層頂面覆蓋有絕緣隔離層。

3.如權利要求1所述MEMS差壓傳感器芯片，其特征在于，在所述襯底底面中部設有熱隔離腔。

4.如權利要求1所述的MEMS差壓傳感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

A、在所述襯底頂面光刻，定義出所述導壓通道圖形，

在所述襯底底面光刻，定義出熱隔離腔和槽狀對準標記，然后利用濕法雙面腐蝕形成所述導壓通道、所述熱隔離腔和所述槽狀對準標記；

B、在所述結構層底面上進行光刻，定義出所述敏感壓力腔和所述基準壓力腔的圖形，然后利用濕法腐蝕形成所述敏感壓力腔和所述基準壓力腔；

C、對所述襯底和所述結構層進行鍵合對準和預鍵合，然后將預鍵合后的所述襯底和所述結構層放置在高溫退火爐中進行硅硅鍵合退火，所述襯底與所述結構層之間實現(xiàn)硅硅鍵合并形成密封；

D、在所述結構層頂面光刻出所述壓敏電阻所在區(qū)域的圖形，注入離子并擴散，形成所述壓敏電阻；

E、在所述壓敏電阻兩端光刻并刻蝕出引線孔，在所述引線孔內濺射金屬形成金屬層，光刻并腐蝕金屬層，形成所述金屬引線；

F、在所述基準壓力膜上光刻并干法干法刻蝕出所述導壓孔。

5.如權利要求4所述MEMS差壓傳感器芯片的制作方法，其特征在于，在所述步驟A之前，要選擇單晶硅片作為所述襯底，對所述襯底表面進行熱氧化形成氧化層；在所述步驟A之后要去除所述氧化層；

在所述步驟B之前，要選擇SOI硅片作為所述結構層，對所述結構層進行熱氧化形成熱氧化層，然后進入LPCVD淀積低應力氮化硅，形成氮化硅層；在所述步驟B之后，要去除所述熱氧化層和所述氮化硅層。

6.如權利要求4所述MEMS差壓傳感器芯片的制作方法，其特征在于，在所述步驟C之前，要對所述襯底和所述結構層進行兆聲波清洗和表面處理。

7.如權利要求4所述MEMS差壓傳感器芯片的制作方法，其特征在于，所述硅硅鍵合退火的溫度為1100攝氏度，時間為1小時。