[發(fā)明專利]一種TSV轉接板及其制造工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410450356.5 | 申請日： | 2014-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN104201166B | 公開（公告）日： | 2017-02-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 何洪文;孫鵬;曹立強 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷紅梅,劉海 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 tsv 轉接 及其 制造 工藝 | ||
1.一種TSV轉接板的制造工藝，其特征是，包括以下步驟：
（1）在基板（1）的正面植球，得到凸點（2）；
（2）將銅柱（3）的一端嵌入凸點（2）中，得到銅柱凸點結構；
（3）采用塑封材料將銅柱凸點結構進行塑封，得到塑封層（4）；
（4）對塑封層（4）的正面進行減薄，直至露出銅柱（3）的上表面；
（5）在塑封層（4）的正面制作正面RDL層（5），正面RDL層（5）的厚度為5～30μm；在正面RDL層（5）上進行植球回流，得到第一微凸點（6）；
（6）在塑封層（4）的正面進行灌膠，得到灌膠層（7），灌膠層（7）覆蓋RDL層（5）和第一微凸點（6）；
（7）在灌膠層（7）的表面進行臨時晶圓（10）的鍵合；
（8）對基板（1）的背面進行減薄，將基板（1）和凸點（2）打磨掉，打磨至露出銅柱（3）的下表面；
（9）在塑封層（4）的背面制作背面RDL層（8），背面RDL層（8）的厚度為5～30μm；在背面RDL層（8）上進行植球回流，得到第二微凸點（9）；
（10）去掉塑封層（4）正面的臨時晶圓（10）及膠，完成所述轉接板的制造。
2.如權利要求1所述的一種TSV轉接板的制造工藝，其特征是：所述基板（1）采用BT板或玻璃。
3.如權利要求1所述的一種TSV轉接板的制造工藝，其特征是：所述正面RDL層（5）和背面RDL層（8）的材質為銅。
4.如權利要求1所述的一種TSV轉接板的制造工藝，其特征是：所述凸點（2）的材質為Sn或SnAg。
5.如權利要求1所述的一種TSV轉接板的制造工藝，其特征是：所述第一微凸點（6）和第二微凸點（9）的材質為Sn或SnAg。
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