[發明專利]一種各向異性干法刻蝕VO2的方法

有效

• 申請號: 201410450255.8
• 申請日: 2014-09-04
• 公開（公告）號: CN104332392B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: 史曄;雷述宇
• 申請（專利權）人: 北方廣微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙)11370
• 代理人: 朱海波

1.一種各向異性干法刻蝕VO₂薄膜的方法，包括以下步驟：

a、提供SiN作為襯底(1)；

b、在所述襯底(1)上形成VO₂薄膜(2)；

c、在VO₂薄膜(2)表面進行SiN的生長，形成SiN掩膜(3)；

d、在所述SiN掩膜(3)上涂覆光刻膠(4)，將SiN掩膜(3)圖形化；

e、依次對SiN掩膜(3)和VO₂薄膜(2)進行反應離子刻蝕,其中，SiN掩膜(3)和VO₂薄膜(2)均采用氟原子與碳原子的氣體流量配比小于4:1的氟基氣體進行刻蝕，在對VO₂薄膜(2)進行刻蝕的過程中通入O₂；

f、用干法去膠機去除殘余光刻膠；

g、進行清洗和甩干去除反應殘余物。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟a中，襯底(1)的厚度為0.5um。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟e中，先采用氟原子與碳原子的氣體流量配比小于4:1的氟基氣體及氬氣的混合氣體對SiN掩膜(3)進行刻蝕，再采用氟原子與碳原子的氣體流量配比小于4:1的氟基氣體與氧氣的混合氣體對VO₂薄膜(2)進行刻蝕。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述氟基氣體及氬氣的混合氣體中，氟原子與碳原子的氣體流量配比為4:1～3:1，氟原子與氬原子的氣體流量配比為2:1～3:1；在所述氟基氣體與氧氣的混合氣體中，氟原子與碳原子的氣體流量配比為4:1～2:1，氟原子與氧氣的氣體流量配比為1:2～1:3。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟e中，刻蝕的的氣體壓力為200～500mtoor，刻蝕的射頻功率為200～800W。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于,在步驟e中，采用氟原子與碳原子的氣體流量配比小于4:1的氟基氣體及氬氣的混合氣體對SiN掩膜(3)進行刻蝕時，氣體壓力為300mtoor，刻蝕的射頻功率為800W，刻蝕時間為15s；采用氟原子與碳原子的氣體流量配比小于4:1的氟基氣體與氧氣的混合氣體對VO₂薄膜(2)進行刻蝕時，氣體壓力為300mtoor，刻蝕的射頻功率為400W，刻蝕時間為35s。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟g中，清洗包括依次進行用有機化學溶液、無機化學溶液、去離子水的清洗。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于,所述有機化學溶液為丙酮；所述無機化學溶液為異丙醇。