[發(fā)明專利]功率半導體模塊

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410450064.1
• 申請日: 2014-09-05
• 公開（公告）號: CN104916630A
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發(fā)明（設計）人: 松山宏
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 許海蘭

1.一種功率半導體模塊，包括：

基板；

第1布線層，設置于所述基板上；

多個半導體元件，設置于所述第1布線層上，分別具有第1電極、第2電極和第3電極，所述第2電極與所述第1布線層電連接；以及

整流元件，設置于所述第1布線層上，具有與所述第1布線層電連接的第5電極、和與所述第1電極電連接的第4電極，

在所述第1布線層上，從所述基板內的任意的第1點放射狀地配置所述多個半導體元件以及所述整流元件，

以所述第1點為基準，點對稱或者線對稱地配置有收納于所述多個半導體元件各自的區(qū)域內的任意的點，

以所述第1點為基準，點對稱或者線對稱地配置有收納于所述整流元件的區(qū)域內的任意的點。

2.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于：

所述第1布線層是十字狀，

所述多個半導體元件由4個半導體元件構成，

在所述十字狀的從所述第1布線層的中心向4個方向延伸的所述第1布線層各自的區(qū)域中，設置有所述4個半導體元件的各個，

在所述4個半導體元件各自的外側，設置有所述整流元件。

3.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于：在所述第1布線層的中心還具備電極端子。

4.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于：

在所述基板上還具備第3布線層，

所述多個半導體元件中的某一個半導體元件的所述第1電極和所述整流元件的所述第4電極經由所述第3布線層電連接。

5.根據(jù)權利要求4所述的功率半導體模塊，其特征在于：在所述第3布線層中還具備電極端子。

6.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于：

所述第1布線層具有：

第1區(qū)域，從所述第1布線層的中心向4個方向延伸；以及

第2區(qū)域，從所述第1區(qū)域進一步延伸，與所述第1區(qū)域構成L字形，

所述多個半導體元件由4個半導體元件構成，

在各個所述第1區(qū)域中，設置有所述4個半導體元件的各個，

在各個所述第2區(qū)域中，設置有所述整流元件。

7.根據(jù)權利要求6所述的功率半導體模塊，其特征在于還包括：

與所述整流元件并列的其他整流元件，

所述整流元件和所述其他整流元件并聯(lián)地連接。

8.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于：

所述第1布線層具有：

配置了所述多個半導體元件的區(qū)域；以及

設置于配置了所述多個半導體元件的所述區(qū)域的外側，配置了所述整流元件的區(qū)域。

9.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于還包括：

設置于所述基板上的電阻元件，

在從所述多個半導體元件選擇出的1個半導體元件的所述第1電極、與從所述多個半導體元件選擇出的另1個半導體元件的所述第1電極之間，連接有所述電阻元件。

10.根據(jù)權利要求9所述的功率半導體模塊，其特征在于：所述電阻元件配置于所述第1布線層的外側。

11.根據(jù)權利要求9所述的功率半導體模塊，其特征在于：與所述電阻元件連接的2個半導體元件和所述第1點串聯(lián)狀地排列。

12.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于還包括：

設置于所述基板上的多個電阻元件，

在從所述多個半導體元件選擇出的1個半導體元件的所述第1電極、與從所述多個半導體元件選擇出的另1個半導體元件的所述第1電極之間，所述多個電阻元件串聯(lián)地連接。

13.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于還包括：

設置于所述基板上的第2布線層，

所述第2布線層被所述第1布線層包圍，

所述多個半導體元件各自的所述第1電極、和與所述多個半導體元件的各個并聯(lián)地連接的所述整流元件的所述第4電極共同地電連接到所述第2布線層。

14.根據(jù)權利要求13所述的功率半導體模塊，其特征在于：所述第2布線層配置于所述基板的中心。

15.根據(jù)權利要求13所述的功率半導體模塊，其特征在于：所述第2布線層隔著絕緣層設置于所述第1布線層上。